Pentingnya bahan grafit berpori terhadap pertumbuhan kristal SiC

Komponen tungku pertumbuhan kristal SiC Semicorex, thetong grafit berpori, akan membawa tiga manfaat utama dan secara efektif dapat memperkuat daya saing dalam negerisubstrat SiC:

• Mengurangi biaya komponen pertumbuhan kristal SiC;
• Meningkatkan ketebalan kristal SiC dan mengurangi biaya keseluruhan substrat;
• Meningkatkan hasil kristal SiC dan meningkatkan daya saing perusahaan.

Menambahkan lembaran grafit berpori ke tungku pertumbuhan kristal SiC adalah salah satu hot spot di industri ini. Telah dibuktikan bahwa dengan menyisipkan agrafit berporilembaran di atas bubuk sumber SiC, tercapai perpindahan massa yang baik di area kristal, yang dapat memperbaiki berbagai masalah teknis yang ada pada tungku pertumbuhan kristal tradisional.

(a) Tungku pertumbuhan kristal tradisional, (b) Tungku pertumbuhan kristal dengan lembaran grafit berpori

Sumber: Universitas Dongui, Korea Selatan

Eksperimen telah menunjukkan bahwa ketika menggunakan tungku pertumbuhan kristal tradisional, substrat SiC biasanya memiliki variasipolimorf, seperti 6H dan 15R-SiC, sementarasubstrat SiCdisiapkan hanya menggunakan tungku pertumbuhan kristal berbasis grafit berporiMonokristal 4H-SiC. Selain itu, kepadatan tabung mikro (MPD) dan kepadatan lubang etsa (EPD) juga berkurang secara signifikan. MPD dari dua tungku pertumbuhan kristal masing-masing adalah 6-7EA/cm2 dan 1-2EA/cm2, yang dapatberkurang hingga 6 kali lipat.

Semicorex juga telah meluncurkan proses baru "transfer massal satu kali" berdasarkanlembaran grafit berpori. Grafit berpori memiliki kualitas yang sangat baikkemampuan pemurnian. Proses baru ini menggunakan medan termal baru untuk perpindahan massa primer, yang membuat efisiensi perpindahan massa meningkat dan pada dasarnya konstan, sehingga mengurangi dampak rekristalisasi (menghindari perpindahan massa sekunder), secara efektif mengurangi risiko mikrotubulus atau cacat kristal terkait lainnya. Selain itu, grafit berpori juga merupakan salah satu teknologi inti untuk mengatasi masalah pertumbuhan dan ketebalan kristal SiC, karena dapat menyeimbangkan komponen fase gas, mengisolasi jejak pengotor, mengatur suhu lokal, dan mereduksi partikel fisik seperti pembungkus karbon. Dengan alasan bahwa kristal dapat digunakan,ketebalan kristaldapat dikurangi. dapat meningkat secara signifikan.

Fitur teknis dariGrafit berpori semicorex:

Porositasnya bisa mencapai 65%;

Pori-porinya tersebar merata;

Stabilitas batch yang tinggi;

Kekuatan tinggi, dapat mencapai bentuk silinder ultra tipis ≤1mm.

Semicorex menawarkan kualitas tinggigrafit berporibagian. Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Hubungi telepon #+86-13567891907

Email: penjualan@semicorex.com