Ketika para insinyur dan tim pengadaan mencari komponen yang dapat bertahan dalam kondisi proses yang sulit, masalah sebenarnya jarang sekali terletak pada mode kegagalan tunggal.
Baca selengkapnyaTeknologi proses SiC Deposisi Uap Kimia (CVD) sangat penting untuk pembuatan elektronika daya berkinerja tinggi, memungkinkan pertumbuhan epitaksi yang tepat dari lapisan silikon karbida dengan kemurnian tinggi pada wafer substrat. Dengan memanfaatkan celah pita SiC yang lebar dan konduktivitas term......
Baca selengkapnyaDalam proses deposisi uap kimia (CVD), gas yang digunakan terutama meliputi gas reaktan dan gas pembawa. Gas reaktan menyediakan atom atau molekul untuk material yang diendapkan, sedangkan gas pembawa digunakan untuk mengencerkan dan mengontrol lingkungan reaksi. Berikut adalah beberapa gas CVD yang......
Baca selengkapnyaSkenario aplikasi yang berbeda memiliki persyaratan kinerja yang berbeda-beda untuk produk grafit, menjadikan pemilihan material yang tepat sebagai langkah inti dalam penerapan produk grafit. Memilih komponen grafit dengan kinerja yang sesuai dengan skenario aplikasi tidak hanya dapat memperpanjang ......
Baca selengkapnyaSebelum membahas teknologi proses Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (Sic), mari kita ulas terlebih dahulu beberapa pengetahuan dasar tentang “deposisi uap kimia”. Deposisi Uap Kimia (CVD) adalah teknik yang umum digunakan untuk menyiapkan berbagai pelapis. Ini melibatkan pengendapan......
Baca selengkapnyaMedan termal pertumbuhan kristal tunggal adalah distribusi suhu spasial dalam tungku suhu tinggi selama proses pertumbuhan kristal tunggal, yang secara langsung mempengaruhi kualitas, laju pertumbuhan, dan laju pembentukan kristal dari kristal tunggal. Medan termal dapat dibagi menjadi tipe tunak da......
Baca selengkapnya