Kebanyakan produsen substrat SiC saat ini menggunakan desain wadah yang menggunakan silinder grafit berpori untuk proses medan panas. Prosesnya melibatkan penempatan partikel SiC dengan kemurnian tinggi di antara dinding wadah grafit dan silinder grafit berpori sambil memperdalam wadah dan meningkatkan diameternya. Hal ini meningkatkan area penguapan bahan baku sekaligus meningkatkan volume muatan.
Proses baru ini memecahkan masalah cacat kristal yang timbul akibat rekristalisasi bagian atas bahan mentah seiring dengan pertumbuhan permukaan bahan sumber, yang mempengaruhi fluks bahan yang disublimasikan. Selain itu, proses baru ini mengurangi sensitivitas distribusi suhu area bahan mentah terhadap pertumbuhan kristal, menstabilkan efisiensi perpindahan massa, mengurangi pengaruh inklusi karbon selama tahap akhir pertumbuhan, dan semakin meningkatkan kualitas kristal SiC. Selain itu, proses baru ini mengadopsi metode fiksasi baki kristal tanpa biji yang tidak menempel pada kristal benih, sehingga membebaskan ekspansi termal dan memfasilitasi penghilangan stres. Proses baru ini mengoptimalkan medan termal dan sangat meningkatkan efisiensi ekspansi.
Penting untuk dicatat bahwa kualitas dan hasil kristal tunggal SiC yang diperoleh melalui proses baru ini sangat bergantung pada sifat fisik grafit wadah dan grafit berpori. Namun, pasokan di pasar saat ini sangat terbatas dibandingkan dengan meningkatnya permintaan.
Fitur Utama Grafit Berpori:
Distribusi ukuran pori yang sesuai;
Porositas cukup tinggi;
Mekanis untuk memenuhi persyaratan pemrosesan dan penggunaan.
Semicorex menawarkan produk grafit berpori berkualitas tinggi yang disesuaikan dengan kebutuhan Anda.