2024-05-20
1. Berbagai Proses ManufakturPerahu SiC
(1) Melapisi lapisanfilm SiCpada permukaan grafitperahu kristalmelalui CVD
Perahu jenis ini memiliki inti grafit yang dikerjakan utuh. Namun,grafit berporidan rentan terhadap pembentukan partikel, sehingga memerlukan penerapan aLapisan film SiCdi permukaannya. Karena ketidaksesuaian Koefisien Ekspansi Termal (CTE) antara badan grafit danfilm SiC, lapisan tersebut kemungkinan besar akan terkelupas setelah beberapa siklus pemanasan dan pendinginan, sehingga menyebabkan kontaminasi partikel. Perahu-perahu ini adalah yang paling murah dan mempunyai umur sekitar satu tahun.
(2) Melapisi lapisanfilm SiCpada rekristalisasiperahu kristal SiC
Dikristalisasi ulangperahu SiCjuga berpori dan dapat dengan mudah menghasilkan partikel. Oleh karena itu, masing-masing komponen direkristalisasiperahu SiCharus dibentuk sebelumnya, disinter, dan kemudian dikerjakan secara terpisah. Selanjutnya komponen-komponen tersebut direkatkan pada suhu tinggi menggunakan pasta Si. Setelah dirangkai menjadi satu perahu, afilm SiCditerapkan melalui CVD. Ini direkristalisasiperahu SiCmemiliki proses pembuatan yang paling lama dan mahal, tetapi permukaannyaLapisan CVDjuga bisa rusak, dengan umur sekitar tiga tahun.
(3)Monolitisperahu kristal SiC
Iniperahuseluruhnya terdiri dari bahan SiC. Bubuk SiC harus dicetak dan disinter menjadi bentuk perahu monolitik. Bahan ini sangat mahal, sangat tahan lama, dan kecil kemungkinannya menghasilkan partikel. Namun, perahu ini mengandung 10-15% silikon bebas, yang rentan terhadap erosi oleh fluor dan klorin, sehingga menyebabkan kontaminasi partikel.
2. Mengapa Dry Cleaning Tidak Direkomendasikan?
Singkatnya, untukperahu SiCdilapisi dengan afilm SiC melalui CVD, lapisan permukaan rentan terkelupas selama dry cleaning, yang menyebabkan kontaminasi partikel. Untuk monolitikperahu SiCyang mengandung sedikit silikon bebas, paparan gas yang mengandung fluor atau klorin dapat menyebabkan erosi dan pembentukan partikel, sehingga menyebabkan kontaminasi.**