Parameter Utama Substrat Silikon Karbida (SiC).

Parameter Kisi:Memastikan bahwa konstanta kisi substrat sesuai dengan lapisan epitaksi yang akan ditumbuhkan sangat penting untuk meminimalkan cacat dan tekanan.

Urutan Penumpukan:Struktur makroskopis dariSiCterdiri dari atom silikon dan karbon dengan perbandingan 1:1. Namun, susunan lapisan atom yang berbeda menghasilkan struktur kristal yang berbeda pula. Karena itu,SiCmenunjukkan banyak politipe, seperti3C-SiC, 4H-SiC, dan 6H-SiC, sesuai dengan urutan susun seperti ABC, ABCB, ABCACB, masing-masing.

Kekerasan Mohs:Menentukan kekerasan substrat sangat penting karena mempengaruhi kemudahan pemrosesan dan ketahanan aus.

Kepadatan:Kepadatan mempengaruhi kekuatan mekanik dan sifat termal darisubstrat.

Koefisien Ekspansi Termal:Ini mengacu pada tingkat di manasubstratpanjang atau volume suatu benda bertambah relatif terhadap dimensi aslinya ketika suhu naik satu derajat Celsius. Kompatibilitas koefisien ekspansi termal substrat dan lapisan epitaksi di bawah variasi suhu mempengaruhi stabilitas termal perangkat.

Indeks Refraksi:Untuk aplikasi optik, indeks bias merupakan parameter penting dalam desain perangkat optoelektronik.

Konstanta Dielektrik:Hal ini mempengaruhi sifat kapasitif perangkat.

Konduktivitas termal:Penting untuk aplikasi berdaya tinggi dan suhu tinggi, konduktivitas termal memengaruhi efisiensi pendinginan perangkat.

Celah pita:Celah pita mewakili perbedaan energi antara bagian atas pita valensi dan bagian bawah pita konduksi pada bahan semikonduktor. Perbedaan energi ini menentukan apakah elektron dapat bertransisi dari pita valensi ke pita konduksi. Bahan dengan celah pita lebar memerlukan lebih banyak energi untuk merangsang transisi elektron.

Medan Listrik Rusak:Ini adalah tegangan maksimum yang dapat ditahan oleh bahan semikonduktor.

Kecepatan Melayang Saturasi:Hal ini mengacu pada kecepatan rata-rata maksimum yang dapat dicapai oleh pembawa muatan dalam bahan semikonduktor ketika terkena medan listrik. Ketika kuat medan listrik meningkat sampai batas tertentu, kecepatan pembawa tidak lagi meningkat seiring bertambahnya medan, mencapai apa yang dikenal sebagai kecepatan penyimpangan saturasi.**

Semicorex menawarkan komponen berkualitas tinggi untuk Substrat SiC. Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.