Proses CVD untuk epitaksi wafer SiC

Proses CVD untuk epitaksi wafer SiC melibatkan pengendapan film SiC ke substrat SiC menggunakan reaksi fase gas. Gas prekursor SiC, biasanya methyltrichlorosilane (MTS) dan ethylene (C2H4), dimasukkan ke dalam ruang reaksi di mana substrat SiC dipanaskan hingga suhu tinggi (biasanya antara 1400 dan 1600 derajat Celcius) di bawah atmosfer hidrogen (H2) yang terkendali. .

Susceptor Epi-wafer Barrel

Selama proses CVD, gas prekursor SiC terurai pada substrat SiC, melepaskan atom silikon (Si) dan karbon (C), yang kemudian bergabung kembali membentuk film SiC pada permukaan substrat. Tingkat pertumbuhan film SiC biasanya dikontrol dengan menyesuaikan konsentrasi gas prekursor SiC, suhu, dan tekanan ruang reaksi.

Salah satu keuntungan dari proses CVD untuk epitaksi wafer SiC adalah kemampuan untuk mencapai film SiC berkualitas tinggi dengan kontrol tingkat tinggi atas ketebalan film, keseragaman, dan doping. Proses CVD juga memungkinkan pengendapan film SiC ke substrat area besar dengan reproduktifitas dan skalabilitas tinggi, menjadikannya teknik hemat biaya untuk pembuatan skala industri.