Apa itu wafer SiC tipe-P?

A Wafer silikon karbida (SiC) tipe-Padalah substrat semikonduktor yang diolah dengan pengotor untuk menciptakan konduktivitas tipe-P (positif). Silikon karbida adalah bahan semikonduktor celah pita lebar yang menawarkan sifat listrik dan termal yang luar biasa, sehingga cocok untuk perangkat elektronik berdaya tinggi dan bersuhu tinggi.

Dalam konteks wafer SiC, "tipe-P" mengacu pada jenis doping yang digunakan untuk memodifikasi konduktivitas material. Doping melibatkan sengaja memasukkan kotoran ke dalam struktur kristal semikonduktor untuk mengubah sifat listriknya. Dalam kasus doping tipe-P, elemen dengan elektron valensi lebih sedikit daripada silikon (bahan dasar SiC) diperkenalkan, seperti aluminium atau boron. Kotoran ini membuat "lubang" di kisi kristal, yang dapat bertindak sebagai pembawa muatan, menghasilkan konduktivitas tipe-P.

Wafer SiC tipe-P sangat penting untuk membuat berbagai komponen elektronik, termasuk perangkat daya seperti transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET), dioda Schottky, dan transistor sambungan bipolar (BJT). Mereka biasanya ditanam menggunakan teknik pertumbuhan epitaxial canggih dan diproses lebih lanjut untuk membuat struktur dan fitur perangkat khusus yang diperlukan untuk aplikasi yang berbeda.