Penerus Planet ALD

Aplikasi:

Deposisi dielektrik k tinggi: ALD Planetary Susceptor menunjukkan ketahanan yang sangat baik terhadap prekursor agresif yang digunakan dalam pengendapan bahan dielektrik berkadar k tinggi seperti hafnium oksida (HfO2) dan aluminium oksida (Al2O3). Hal ini membuat ALD Planetary Susceptor cocok untuk membuat transistor berkinerja tinggi untuk aplikasi logika dan memori.

Lapisan metalisasi: Stabilitas suhu tinggi ALD Planetary Susceptor memungkinkan pengendapan lapisan metalisasi pada suhu tinggi, sehingga menghasilkan sifat film yang lebih baik seperti resistivitas yang lebih rendah dan kepadatan yang lebih tinggi. Hal ini penting untuk menciptakan interkoneksi yang efisien pada perangkat semikonduktor tingkat lanjut.

Fabrikasi perangkat optoelektronik:Sifat inert dari ALD Planetary Susceptor meminimalkan reaksi yang tidak diinginkan dengan prekursor yang digunakan dalam pengendapan bahan sensitif seperti semikonduktor III-V, menjadikan ALD Planetary Susceptor sangat cocok untuk pembuatan LED, laser, dan komponen optoelektronik lainnya.

Siklus ALD

Deposisi Lapisan Atom (ALD)menawarkan beberapa keunggulan utama dibandingkan teknik pengendapan film tipis lainnya, sehingga semakin populer untuk berbagai aplikasi, khususnya di bidang mikroelektronika dan nanoteknologi.

Berikut adalah beberapa keunggulan utama ALD:

1. Kontrol Ketebalan Tingkat Angstrom:

ALD memungkinkan kontrol ketebalan film secara presisi hingga tingkat angstrom (0,1 nanometer). Tingkat presisi ini dicapai melalui reaksi permukaan yang membatasi dirinya sendiri, di mana setiap siklus menyimpan satu lapisan atom.

2. Keseragaman dan Kesesuaian yang Sangat Baik:

ALD menunjukkan keseragaman yang luar biasa pada area permukaan yang luas dan struktur 3D yang kompleks, termasuk fitur rasio aspek tinggi seperti parit dan vias. Hal ini penting untuk aplikasi yang memerlukan pelapisan seragam pada geometri yang rumit, seperti pada perangkat semikonduktor.

3. Suhu Deposisi Rendah:

ALD dapat dilakukan pada suhu yang relatif rendah (seringkali di bawah 300°C) dibandingkan dengan teknik pengendapan lainnya. Hal ini menguntungkan untuk substrat yang sensitif terhadap panas dan memungkinkan penggunaan material yang lebih beragam.

4. Film Berkualitas Tinggi:

ALD biasanya menghasilkan film dengan kepadatan yang sangat baik, tingkat pengotor yang rendah, dan keseragaman komposisi dan ketebalan yang tinggi. Karakteristik ini penting untuk mencapai kinerja optimal dalam berbagai aplikasi.

5. Pemilihan Bahan yang Luas:

ALD menawarkan berbagai pilihan material yang dapat disimpan, termasuk oksida, nitrida, logam, dan sulfida. Fleksibilitas ini membuatnya cocok untuk berbagai macam aplikasi.

6. Skalabilitas dan Penerapan Industri:

Teknologi ALD sangat terukur dan dapat dengan mudah diintegrasikan ke dalam proses manufaktur yang ada. Ini kompatibel dengan berbagai ukuran dan bentuk media, sehingga cocok untuk produksi volume tinggi.