Reseptor Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor merupakan perpaduan ketahanan suhu tinggi, kelembaman kimia, dan difusi termal yang unggul, ia berdiri sebagai teladan ketahanan dan efisiensi dalam menghadapi kondisi intensif yang identik dengan upaya pertumbuhan epitaksi. Penerapan lapisan SiC secara signifikan menambah atribut termal dari Susceptor Epi-SiC. Peningkatan ini memfasilitasi distribusi termal seragam yang penting untuk pemanasan wafer, sangat penting untuk pengendapan lapisan epitaksi yang konsisten dan berkualitas tinggi di seluruh wafer semikonduktor.

Dibuat khusus untuk memenuhi tuntutan proses epitaksial wafer, Epi-SiC Susceptor mendukung pengangkutan wafer yang mulus dalam lingkungan tungku. Desainnya yang kokoh merupakan benteng terhadap perpindahan atau kompromi wafer, sehingga mengurangi timbulnya kerusakan di seluruh tahap kritis pengembangan lapisan epitaksi. Selain itu, Susceptor Epi-SiC bertindak sebagai penghalang pelindung untuk substrat grafit di bawahnya, melindunginya dari interaksi kimia dan abrasi yang mungkin disebabkan oleh proses epitaksi.

Perpaduan inti grafit yang tangguh dengan lapisan pelindung SiC tidak hanya meningkatkan metrik kinerja Epi-SiC Susceptor tetapi juga secara signifikan memperpanjang masa pakainya. Hasilnya adalah investasi yang menghasilkan dividen dalam bentuk penghematan operasional berkelanjutan bagi perusahaan produksi semikonduktor, yang memposisikan Epi-SiC Susceptor sebagai pilihan bijaksana bagi mereka yang ingin mengoptimalkan operasi manufaktur mereka.