Pembawa Wafer Epitaksi

Aplikasipekerjaan:Epitaxy Wafer Carrier, yang dikembangkan oleh Semicorex, dirancang khusus untuk digunakan dalam berbagai proses manufaktur semikonduktor tingkat lanjut. Operator ini sangat cocok untuk lingkungan seperti:

Deposisi Uap Kimia yang Ditingkatkan Plasma (PECVD):Dalam proses PECVD, Epitaxy Wafer Carrier penting untuk menangani substrat selama proses pengendapan film tipis, memastikan kualitas dan keseragaman yang konsisten.

Epitaksi Silikon dan SiC:Untuk aplikasi epitaksi silikon dan SiC, di mana lapisan tipis diendapkan pada substrat untuk membentuk struktur kristal berkualitas tinggi, Epitaxy Wafer Carrier menjaga stabilitas dalam kondisi termal ekstrem.

Satuan Deposisi Uap Kimia Organik Logam (MOCVD):Digunakan untuk membuat perangkat semikonduktor majemuk seperti LED dan elektronika daya, unit MOCVD memerlukan pembawa yang dapat mempertahankan suhu tinggi dan lingkungan kimia agresif yang melekat pada proses tersebut.

Keuntungan:

Kinerja Stabil dan Seragam pada Suhu Tinggi:

Kombinasi lapisan grafit isotropik dan silikon karbida (SiC) memberikan stabilitas dan keseragaman termal yang luar biasa pada suhu tinggi. Grafit isotropik menawarkan sifat yang konsisten di segala arah, yang sangat penting untuk memastikan kinerja yang andal dalam Epitaxy Wafer Carrier yang digunakan dalam tekanan termal. Lapisan SiC berkontribusi dalam menjaga distribusi termal yang seragam, mencegah titik panas, dan memastikan kinerja pembawa yang andal dalam jangka waktu lama.

Peningkatan Ketahanan Korosi dan Umur Komponen yang Diperpanjang:

Lapisan SiC, dengan struktur kristal kubiknya, menghasilkan lapisan lapisan dengan kepadatan tinggi. Struktur ini secara signifikan meningkatkan ketahanan Epitaxy Wafer Carrier terhadap gas korosif dan bahan kimia yang biasanya ditemui dalam proses PECVD, epitaksi, dan MOCVD. Lapisan SiC yang padat melindungi substrat grafit di bawahnya dari degradasi, sehingga memperpanjang masa pakai pembawa dan mengurangi frekuensi penggantian.

Ketebalan dan Cakupan Lapisan Optimal:

Semicorex menggunakan teknologi pelapisan yang menjamin ketebalan lapisan SiC standar 80 hingga 100 µm. Ketebalan ini optimal untuk mencapai keseimbangan antara perlindungan mekanis dan konduktivitas termal. Teknologi ini memastikan bahwa semua area terbuka, termasuk area dengan geometri kompleks, terlapisi secara merata, mempertahankan lapisan pelindung yang padat dan berkesinambungan bahkan pada fitur kecil dan rumit.

Perlindungan Adhesi dan Korosi Unggul:

Dengan menginfiltrasi lapisan atas grafit dengan lapisan SiC, Epitaxy Wafer Carrier mencapai daya rekat yang luar biasa antara substrat dan lapisan. Metode ini tidak hanya memastikan bahwa lapisan tetap utuh di bawah tekanan mekanis tetapi juga meningkatkan perlindungan terhadap korosi. Lapisan SiC yang terikat erat bertindak sebagai penghalang, mencegah gas reaktif dan bahan kimia mencapai inti grafit, sehingga menjaga integritas struktural pembawa dalam jangka waktu lama terhadap kondisi pemrosesan yang keras.

Kemampuan untuk Melapisi Geometri Kompleks:

Teknologi pelapisan canggih yang digunakan oleh Semicorex memungkinkan penerapan pelapisan SiC secara seragam pada geometri kompleks, seperti lubang buta kecil dengan diameter sekecil 1 mm dan kedalaman melebihi 5 mm. Kemampuan ini sangat penting untuk memastikan perlindungan menyeluruh pada Epitaxy Wafer Carrier, bahkan di area yang secara tradisional sulit untuk dilapisi, sehingga mencegah korosi dan degradasi lokal.

Antarmuka Pelapisan SiC dengan Kemurnian Tinggi dan Terdefinisi dengan Baik:

Untuk memproses wafer yang terbuat dari silikon, safir, silikon karbida (SiC), galium nitrida (GaN), dan bahan lainnya, kemurnian tinggi antarmuka lapisan SiC merupakan keunggulan utama. Lapisan Epitaxy Wafer Carrier dengan kemurnian tinggi ini mencegah kontaminasi dan menjaga integritas wafer selama pemrosesan suhu tinggi. Antarmuka yang terdefinisi dengan baik memastikan konduktivitas termal dimaksimalkan, memungkinkan perpindahan panas yang efisien melalui lapisan tanpa hambatan termal yang signifikan.

Fungsi sebagai Penghalang Difusi:

Lapisan SiC pada Epitaxy Wafer Carrier juga berfungsi sebagai penghalang difusi yang efektif. Ini mencegah penyerapan dan desorpsi kotoran dari bahan grafit yang mendasarinya, sehingga menjaga lingkungan pemrosesan yang bersih. Hal ini sangat penting dalam manufaktur semikonduktor, di mana tingkat pengotor yang sangat kecil sekalipun dapat berdampak signifikan terhadap karakteristik kelistrikan produk akhir.