Pembawa Epitaksi GaN

Semicorex GaN Epitaxy Carrier unggul dalam mengangkut wafer dengan aman di dalam tungku sementara dirancang untuk proses epitaksi wafer. GaN Epitaxy Carrier sangat penting untuk mencapai film tipis dan lapisan epitaksi berkualitas tinggi yang dapat direproduksi yang diperlukan untuk memproduksi perangkat elektronik dan optoelektronik canggih.

Substrat grafit GaN Epitaxy Carrier disempurnakan dengan lapisan silikon karbida (SiC) Deposisi Uap Kimia (CVD) yang canggih. Lapisan SiC ini diterapkan secara cermat melalui pengendapan uap kimia, memberikan perlindungan yang kuat terhadap reaksi kimia dan keausan selama proses epitaksi. Selain itu, lapisan SiC pada GaN Epitaxy Carrier meningkatkan sifat termal pembawa, memfasilitasi pemanasan wafer yang efisien dan seragam. Pemanasan seragam seperti itu sangat penting untuk menghasilkan lapisan epitaksi yang konsisten dan berkualitas tinggi pada wafer semikonduktor.

Dapat disesuaikan agar sesuai dengan berbagai ukuran wafer semikonduktor, Semicorex GaN Epitaxy Carrier adalah solusi serbaguna untuk beragam kebutuhan produksi. Baik diperlukan ukuran, bentuk, atau ketebalan lapisan tertentu, tim kami berkolaborasi dengan klien untuk mengembangkan solusi yang memenuhi spesifikasi tepat dan mengoptimalkan kinerja untuk aplikasi unik mereka.