Cawan grafit

Cawan lebur grafit semikorex adalah komponen penting dalam proses manufaktur semikonduktor, terutama selama tahap pertumbuhan kristal. Wadah kinerja tinggi ini direkayasa untuk menahan kondisi ekstrem yang diperlukan untuk menghasilkan kristal semikonduktor silikon atau senyawa tinggi melalui metode seperti proses czochralski (CZ) atau teknik zona float (FZ).

Fungsi utama celah grafit adalah menahan dan mendukung suhu yang sangat tinggi, biasanya di atas 2000 ° C, di mana bahan semikonduktor generasi ketiga seperti silikon karbida dan gallium nitrida sering disintesis. Cawan lebur yang terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi menunjukkan resistensi yang sangat baik terhadap suhu tinggi mempertahankan keadaan fisik dan kimianya pada tingkat ekstrem seperti itu tanpa segala bentuk dekomposisi atau bahkan metamorfosis. Konduksi termal yang baik oleh grafit cruces berarti bahwa mereka tidak hanya akan melakukan panas secara seragam tetapi juga mengatur bidang suhu yang stabil. Ini berperan penting selama proses peleburan dan kristalisasi karena distribusi suhu yang seragam akan memungkinkan bahan pertumbuhan dalam kondisi yang lebih atau kurang setara, sehingga mengurangi cacat kristal dan memungkinkan kristal semikonduktor kualitas.

Dalam proses pertumbuhan kristal silikon karbida atau gallium nitrida (seperti epitaxy fase uap CVD atau pvt transportasi uap fisik), cawan grafit digunakan untuk menahan bahan baku dan menyediakan lingkungan pertumbuhan yang terkontrol. Ketidaksukaan kimia dari wadah memastikan bahwa ia tidak bereaksi secara kimia dengan bahan semikonduktor pada suhu tinggi, sehingga mempertahankan kemurnian material yang tinggi. Pada saat yang sama, konduktivitas termal yang baik dari wadah grafit membantu membentuk gradien suhu yang seragam, memberikan kondisi ideal untuk pertumbuhan kristal dan mengurangi kotoran dan cacat struktural.

Kelembaman bahan kimia dari cawan lebur grafit adalah fitur utama dalam pemurnian bahan semikonduktor. Bahan grafit dengan kemurnian tinggi dapat mengisolasi polusi eksternal dan mencegah kotoran memasuki bahan semikonduktor cair. Permukaan wadah grafit juga dapat dilapisi (seperti lapisan silikon karbida) untuk meningkatkan ketahanan oksidasi dan ketahanan korosi, lebih lanjut memastikan kemurnian tinggi dan stabilitas tinggi proses produksi.