Ruang Reaksi LPE Halfmoon

Proses epitaksi terjadi di dalam LPE Halfmoon Reaction Chamber, di mana substrat terkena kondisi ekstrem yang melibatkan suhu tinggi dan gas korosif. Untuk memastikan umur panjang dan kinerja komponen ruang reaksi, pelapisan SiC Deposisi Uap Kimia (CVD) diterapkan:

Aplikasi Rinci:

Penerima dan Pembawa Wafer:

Peran Utama:

Susceptor dan pembawa wafer adalah komponen penting yang menahan substrat dengan aman selama proses pertumbuhan epitaksi di The LPE Halfmoon Reaction Chamber. Mereka memainkan peran penting dalam memastikan bahwa substrat dipanaskan secara merata dan terkena gas reaktif.

Manfaat Pelapisan CVD SiC:

Konduktivitas Termal:

Lapisan SiC meningkatkan konduktivitas termal susceptor, memastikan panas didistribusikan secara merata ke seluruh permukaan wafer. Keseragaman ini penting untuk mencapai pertumbuhan epitaksial yang konsisten.

Ketahanan Korosi:

Lapisan SiC melindungi susceptor dari gas korosif seperti hidrogen dan senyawa terklorinasi, yang digunakan dalam proses CVD. Perlindungan ini memperpanjang umur susceptor dan menjaga integritas proses epitaksi di LPE Halfmoon Reaction Chamber.

Dinding Ruang Reaksi:

Peran Utama:

Dinding ruang reaksi mengandung lingkungan reaktif dan terkena suhu tinggi serta gas korosif selama proses pertumbuhan epitaksi di Ruang Reaksi LPE Halfmoon.

Manfaat Pelapisan CVD SiC:

Daya tahan:

Lapisan SiC pada LPE Halfmoon Reaction Chamber secara signifikan meningkatkan ketahanan dinding ruang, melindunginya dari korosi dan keausan fisik. Daya tahan ini mengurangi frekuensi perawatan dan penggantian, sehingga menurunkan biaya operasional.

Pencegahan Kontaminasi:

Dengan menjaga integritas dinding ruangan, lapisan SiC meminimalkan risiko kontaminasi dari bahan yang rusak, sehingga memastikan lingkungan pemrosesan yang bersih.

Manfaat Utama:

Peningkatan Hasil:

Dengan menjaga integritas struktural wafer, LPE Halfmoon Reaction Chamber mendukung tingkat hasil yang lebih tinggi, menjadikan proses fabrikasi semikonduktor lebih efisien dan hemat biaya.

Kekokohan Struktural:

Lapisan SiC pada LPE Halfmoon Reaction Chamber secara signifikan meningkatkan kekuatan mekanik substrat grafit, menjadikan pembawa wafer lebih kuat dan mampu menahan tekanan mekanis dari siklus termal berulang.

Umur panjang:

Peningkatan kekuatan mekanik berkontribusi pada umur panjang LPE Halfmoon Reaction Chamber secara keseluruhan, sehingga mengurangi kebutuhan akan penggantian yang sering dan semakin menurunkan biaya operasional.

Peningkatan Kualitas Permukaan:

Lapisan SiC menghasilkan permukaan yang lebih halus dibandingkan dengan grafit telanjang. Hasil akhir yang halus ini meminimalkan pembentukan partikel, yang sangat penting untuk menjaga lingkungan pemrosesan yang bersih.

Pengurangan Kontaminasi:

Permukaan yang lebih halus mengurangi risiko kontaminasi pada wafer, memastikan kemurnian lapisan semikonduktor dan meningkatkan kualitas perangkat akhir secara keseluruhan.

Lingkungan Pemrosesan yang Bersih:

Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber menghasilkan partikel yang jauh lebih sedikit dibandingkan grafit yang tidak dilapisi, sehingga penting untuk menjaga lingkungan bebas kontaminasi dalam manufaktur semikonduktor.

Tingkat Hasil Lebih Tinggi:

Berkurangnya kontaminasi partikulat menyebabkan lebih sedikit cacat dan tingkat hasil yang lebih tinggi, yang merupakan faktor penting dalam industri semikonduktor yang sangat kompetitif.