Aplikasi Industri GaN

Area aplikasi GaN berbasis SiC dan berbasis Si tidak dipisahkan secara ketat.In perangkat GaN-On-SiC, biaya substrat SiC relatif tinggi, dan dengan semakin matangnya teknologi kristal panjang SiC, biaya perangkat diperkirakan akan turun lebih jauh, dan digunakan dalam perangkat daya di bidang elektronika daya.

GaN di pasar RF

Saat ini ada tiga proses utama di pasar RF: proses GaAs, proses LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) berbasis Si, dan proses GaN. Kekurangan perangkat GaAs dan perangkat LDMOS adalah Ada batasan frekuensi operasi, dengan frekuensi efektif maksimum di bawah 3 GHz.

GaN menjembatani kesenjangan antara GaAs dan teknologi LDMOS berbasis Si, menggabungkan kemampuan pemrosesan daya LDMOS berbasis Si dengan kinerja frekuensi tinggi GaAs. GaA terutama digunakan di stasiun pangkalan kecil, dan dengan pengurangan biaya GaN, GaN diharapkan untuk menempati sebagian pasar PA stasiun pangkalan kecil berdasarkan karakteristik daya tinggi, frekuensi tinggi, dan efisiensi tinggi, membentuk pola yang didominasi oleh GaAs PA dan GaN.

GaN dalam aplikasi perangkat daya

DKarena struktur berisi dapat mewujudkan kinerja kecepatan tinggi dari gas elektron dua dimensi heterojunction, perangkat GaN dibandingkan dengan perangkat SiC memiliki frekuensi operasi yang lebih tinggi, ditambah dengan dapat menahan tegangan lebih rendah dari perangkat SiC, sehingga perangkat elektronik daya GaN lebih cocok untuk frekuensi tinggi, volume kecil, peka biaya, persyaratan daya rendah dari bidang catu daya, seperti adaptor daya elektronik konsumen ringan, catu daya ultra-ringan untuk drone, perangkat pengisian nirkabel, dll.

Saat ini, pengisian cepat adalah medan perang utama GaN. Bidang otomotif adalah salah satu skenario aplikasi utama untuk perangkat daya GaN, yang dapat digunakan dalam konverter DC/DC otomotif, inverter DC/AC, penyearah AC/DC, dan OBC (pengisi daya terpasang). Perangkat daya GaN memiliki resistansi rendah, kecepatan peralihan cepat, kerapatan output daya lebih tinggi, dan efisiensi konversi energi lebih tinggi, yang tidak hanya mengurangi kehilangan daya dan penghematan energi, tetapi juga memungkinkan miniaturisasi sistem. Ini tidak hanya mengurangi kehilangan daya dan menghemat energi, tetapi juga mengecilkan dan meringankan sistem, secara efektif mengurangi ukuran dan berat perangkat elektronik daya.