Apa itu epitaksi SiC?

Silicon Carbide (SiC) epitaxy adalah teknologi kunci di bidang semikonduktor, khususnya untuk pengembangan perangkat elektronik berdaya tinggi. SiC adalah semikonduktor majemuk dengan celah pita lebar, yang membuatnya ideal untuk aplikasi yang memerlukan operasi bertegangan dan bersuhu tinggi.

Epitaksi SiC adalah proses menumbuhkan lapisan tipis bahan kristal pada substrat, biasanya silikon, menggunakan teknik deposisi uap kimia (CVD) atau epitaksi berkas molekul (MBE). Lapisan epitaxial memiliki struktur dan orientasi kristal yang sama dengan substrat, yang memungkinkan pembentukan antarmuka berkualitas tinggi antara kedua bahan.

Epitaksi SiC telah banyak digunakan dalam pengembangan elektronika daya, termasuk perangkat daya seperti dioda, transistor, dan thyristor. Perangkat ini digunakan dalam berbagai aplikasi, seperti kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan catu daya.

Dalam beberapa tahun terakhir, telah tumbuh minat dalam pengembangan epitaksi SiC untuk pembuatan perangkat berdaya tinggi untuk aplikasi seperti kendaraan listrik dan sistem energi terbarukan. Permintaan perangkat ini diperkirakan akan tumbuh pesat di tahun-tahun mendatang, didorong oleh kebutuhan akan sistem energi yang lebih efisien dan berkelanjutan.

Menanggapi permintaan ini, peneliti dan perusahaan berinvestasi dalam pengembangan teknologi epitaksi SiC, dengan fokus pada peningkatan kualitas dan pengurangan biaya proses. Misalnya, beberapa perusahaan sedang mengembangkan epitaksi SiC pada substrat yang lebih besar untuk mengurangi biaya per wafer, sementara yang lain mengeksplorasi teknik baru untuk mengurangi kepadatan cacat.

Epitaksi SiC juga digunakan dalam pengembangan sensor canggih untuk berbagai aplikasi, termasuk sensor gas, sensor suhu, dan sensor tekanan. SiC memiliki sifat unik yang menjadikannya ideal untuk aplikasi ini, seperti stabilitas suhu tinggi dan ketahanan terhadap lingkungan yang keras.