Proses wafer epitaxial adalah teknik penting yang digunakan dalam manufaktur semikonduktor. Ini melibatkan pertumbuhan lapisan tipis bahan kristal di atas substrat, yang memiliki struktur dan orientasi kristal yang sama dengan substrat. Proses ini menciptakan antarmuka berkualitas tinggi antara dua bahan, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik canggih.

Proses wafer epitaxial digunakan dalam produksi berbagai perangkat semikonduktor, termasuk dioda, transistor, dan sirkuit terintegrasi. Proses ini biasanya dilakukan dengan menggunakan teknik deposisi uap kimia (CVD) atau epitaksi berkas molekul (MBE). Teknik ini melibatkan pengendapan atom material ke permukaan substrat, di mana mereka membentuk lapisan kristal.

Proses wafer epitaxial adalah teknik yang kompleks dan tepat yang membutuhkan kontrol ketat terhadap berbagai parameter seperti suhu, tekanan, dan laju aliran gas. Pertumbuhan lapisan epitaksi harus dikontrol dengan hati-hati untuk memastikan pembentukan struktur kristal berkualitas tinggi dengan kepadatan cacat yang rendah.

Kualitas proses wafer epitaxial sangat penting untuk kinerja perangkat semikonduktor yang dihasilkan. Lapisan epitaxial harus memiliki ketebalan yang seragam, kerapatan cacat yang rendah, dan tingkat kemurnian yang tinggi untuk memastikan sifat elektronik yang optimal. Ketebalan dan tingkat doping lapisan epitaxial dapat dikontrol secara tepat untuk mencapai sifat yang diinginkan, seperti konduktivitas dan celah pita.

Dalam beberapa tahun terakhir, proses wafer epitaksi menjadi semakin penting dalam produksi perangkat semikonduktor berkinerja tinggi, khususnya di bidang elektronika daya. Permintaan akan perangkat berperforma tinggi dengan peningkatan efisiensi dan keandalan telah mendorong pengembangan proses wafer epitaksi tingkat lanjut.

Proses wafer epitaxial juga digunakan dalam pengembangan sensor canggih, termasuk sensor suhu, sensor gas, dan sensor tekanan. Sensor ini membutuhkan lapisan kristal berkualitas tinggi dengan sifat elektronik tertentu, yang dapat dicapai melalui proses wafer epitaxial.