Metode Pertumbuhan Kristal AlN

AlN, sebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, tidak hanya merupakan bahan cahaya biru dan sinar ultraviolet yang penting, tetapi juga bahan pengemasan, isolasi dielektrik, dan insulasi penting untuk perangkat elektronik dan sirkuit terpadu, terutama cocok untuk perangkat bersuhu tinggi dan berdaya tinggi. . Selain itu, AlN dan GaN memiliki kecocokan termal dan kompatibilitas kimia yang baik, AlN yang digunakan sebagai substrat epitaksi GaN, dapat secara signifikan mengurangi kepadatan cacat pada perangkat GaN, dan meningkatkan kinerja perangkat.

Karena prospek penerapannya yang menarik, pembuatan kristal AlN berkualitas tinggi dan berukuran besar telah mendapat perhatian besar dari para peneliti di dalam dan luar negeri. Saat ini, kristal AlN dibuat dengan metode larutan, nitridasi langsung logam aluminium, epitaksi fase gas hidrida, dan transpor fase uap fisik (PVT). Diantaranya, metode PVT telah menjadi teknologi utama untuk menumbuhkan kristal AlN dengan laju pertumbuhannya yang tinggi (hingga 500-1000 μm/jam) dan kualitas kristal yang tinggi (kerapatan dislokasi di bawah 103 cm-2).

Pertumbuhan kristal AlN dengan metode PVT dilakukan melalui sublimasi, transpor fasa gas dan rekristalisasi bubuk AlN, dan suhu lingkungan pertumbuhan mencapai 2.300 ℃. Prinsip dasar penumbuhan kristal AlN dengan metode PVT relatif sederhana, seperti terlihat pada persamaan berikut:

2AlN(s) ⥫⥬ 2Al(g) ＋N2(g)

Langkah-langkah utama proses pertumbuhan adalah sebagai berikut: (1) sublimasi bubuk mentah AlN; (2) pengangkutan komponen bahan baku berfasa gas; (3) adsorpsi komponen fase gas pada permukaan pertumbuhan; (4) difusi dan nukleasi permukaan; dan (5) proses desorpsi [10]. Di bawah tekanan atmosfer standar, kristal AlN mulai terurai perlahan menjadi uap Al dan nitrogen hanya pada suhu sekitar 1.700 ℃, dan reaksi dekomposisi AlN meningkat dengan cepat ketika suhu mencapai 2.200 ℃.

Bahan TaC adalah bahan wadah pertumbuhan kristal AlN asli yang digunakan, dengan sifat fisik dan kimia yang sangat baik, konduktivitas termal dan listrik yang sangat baik, ketahanan terhadap korosi kimia, dan ketahanan guncangan termal yang baik, yang secara efektif dapat meningkatkan efisiensi produksi dan masa pakai.

Semicorex menawarkan kualitas tinggiProduk pelapis TaCdengan layanan yang disesuaikan. Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Hubungi telepon #+86-13567891907

Email: penjualan@semicorex.com