GaN vs SiC

Ada beberapa materi yang sedang diselidiki, di antaranyasilikon karbidamenonjol sebagai salah satu yang paling menjanjikan. Mirip denganGaN, ia menawarkan voltase pengoperasian yang lebih tinggi, voltase tembus yang lebih tinggi, dan konduktivitas yang lebih unggul dibandingkan silikon. Selain itu, berkat konduktivitas termalnya yang tinggi,silikon karbidadapat dimanfaatkan di lingkungan dengan suhu ekstrim. Terakhir, ukurannya jauh lebih kecil namun mampu menangani daya yang lebih besar.

MeskipunSiCadalah bahan yang cocok untuk penguat daya, tetapi tidak sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi. Di samping itu,GaNadalah bahan pilihan untuk membuat amplifier daya kecil. Namun, para insinyur menghadapi tantangan saat menggabungkannyaGaNdengan transistor MOS silikon tipe P, karena membatasi frekuensi dan efisiensiGaN. Meskipun kombinasi ini menawarkan kemampuan yang saling melengkapi, namun hal ini bukanlah solusi ideal terhadap masalah tersebut.

Seiring kemajuan teknologi, para peneliti pada akhirnya dapat menemukan perangkat GaN tipe-P atau perangkat pelengkap yang menggunakan berbagai teknologi yang dapat digabungkanGaN. Namun, sampai hari itu,GaNakan terus dibatasi oleh teknologi zaman kita.

Kemajuan dariGaNteknologi membutuhkan upaya kolaboratif antara ilmu material, teknik elektro, dan fisika. Pendekatan interdisipliner ini diperlukan untuk mengatasi keterbatasan yang ada saat iniGaNteknologi. Jika kita dapat membuat terobosan dalam mengembangkan GaN tipe-P atau menemukan bahan pelengkap yang sesuai, hal ini tidak hanya akan meningkatkan kinerja perangkat berbasis GaN tetapi juga berkontribusi pada bidang teknologi semikonduktor yang lebih luas. Hal ini dapat membuka jalan bagi sistem elektronik yang lebih efisien, kompak, dan andal di masa depan.