Parameter Proses Etsa

Etsaadalah langkah penting dalam pembuatan chip, yang digunakan untuk membuat struktur sirkuit kecil pada wafer silikon. Ini melibatkan penghilangan lapisan material melalui cara kimia atau fisik untuk memenuhi persyaratan desain tertentu. Artikel ini akan memperkenalkan beberapa parameter etsa utama, termasuk etsa tidak lengkap, etsa berlebih, laju etsa, pemotongan yang terlalu rendah, selektivitas, keseragaman, rasio aspek, dan etsa isotropik/anisotropik.

Apa yang Tidak LengkapEtsa?

Pengetsaan tidak lengkap terjadi ketika material di area yang ditentukan tidak dihilangkan seluruhnya selama proses pengetsaan, sehingga meninggalkan lapisan sisa di lubang berpola atau pada permukaan. Situasi ini dapat timbul dari berbagai faktor, seperti waktu etsa yang tidak mencukupi atau ketebalan film yang tidak merata.

Lebih-Etsa

Untuk memastikan penghilangan seluruh material yang diperlukan dan memperhitungkan variasi ketebalan lapisan permukaan, sejumlah over-etching biasanya dimasukkan ke dalam desain. Ini berarti kedalaman etsa sebenarnya melebihi nilai target. Pengetsaan berlebihan yang tepat sangat penting untuk keberhasilan pelaksanaan proses selanjutnya.

MengetsaKecepatan

Laju etsa mengacu pada ketebalan material yang dihilangkan per satuan waktu dan merupakan indikator penting efisiensi etsa. Fenomena umum adalah efek pembebanan, dimana plasma reaktif yang tidak mencukupi menyebabkan berkurangnya laju etsa atau distribusi etsa yang tidak merata. Hal ini dapat diperbaiki dengan menyesuaikan kondisi proses seperti tekanan dan daya.

Meremehkan

Meremehkan terjadi ketikaetsatidak hanya terjadi di area target tetapi juga meluas ke bawah di sepanjang tepi photoresist. Fenomena ini dapat menyebabkan dinding samping miring, sehingga mempengaruhi akurasi dimensi perangkat. Mengontrol aliran gas dan waktu etsa membantu mengurangi terjadinya undercutting.

Selektivitas

Selektivitas adalah rasiomengetsaharga antara dua bahan yang berbeda dalam kondisi yang sama. Selektivitas yang tinggi memungkinkan kontrol yang lebih tepat terhadap bagian mana yang tergores dan mana yang dipertahankan, yang mana hal ini penting untuk menciptakan struktur multilapis yang kompleks.

Keseragaman

Keseragaman mengukur konsistensi efek etsa di seluruh wafer atau antar batch. Keseragaman yang baik memastikan bahwa setiap chip memiliki karakteristik kelistrikan yang serupa.

Rasio Aspek

Rasio aspek didefinisikan sebagai rasio tinggi fitur terhadap lebar. Seiring berkembangnya teknologi, terdapat peningkatan permintaan akan rasio aspek yang lebih tinggi untuk membuat perangkat lebih ringkas dan efisien. Namun, hal ini menghadirkan tantangan bagietsa, karena memerlukan pemeliharaan vertikalitas sekaligus menghindari erosi berlebihan di dasar.

Bagaimana Cara Kerja Isotropik dan AnisotropikEtsaBerbeda?

Isotropiketsaterjadi secara seragam ke segala arah dan cocok untuk aplikasi spesifik tertentu. Sebaliknya, etsa anisotropik terutama berkembang dalam arah vertikal, sehingga ideal untuk menciptakan struktur tiga dimensi yang presisi. Manufaktur sirkuit terpadu modern sering kali lebih memilih yang terakhir untuk kontrol bentuk yang lebih baik.

Semicorex menawarkan solusi SiC/TaC berkualitas tinggi untuk semikonduktorEtsa ICP/PSS dan etsa Plasmaproses. Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Hubungi telepon #+86-13567891907

Email: penjualan@semicorex.com