Satuan dalam semikonduktor: Angstrom

Apa itu Angstrom?

Angstrom (simbol: Å) adalah satuan panjang yang sangat kecil, terutama digunakan untuk menggambarkan skala fenomena mikroskopis, seperti jarak antara atom dan molekul atau ketebalan film tipis dalam pembuatan wafer. Satu angstrom sama dengan \(10^{-10}\) meter, yang setara dengan 0.1 nanometer (nm).

Untuk mengilustrasikan konsep ini secara lebih intuitif, pertimbangkan analogi berikut: Diameter rambut manusia kira-kira 70.000 nanometer, yang berarti 700.000 Å. Jika kita bayangkan 1 meter sebagai diameter bumi, maka 1 Å sama dengan diameter sebutir pasir kecil di permukaan bumi.

Dalam manufaktur sirkuit terpadu, angstrom sangat berguna karena memberikan cara yang akurat dan mudah untuk menggambarkan ketebalan lapisan film yang sangat tipis, seperti silikon oksida, silikon nitrida, dan lapisan doping. Dengan kemajuan teknologi proses semikonduktor, kemampuan untuk mengontrol ketebalan telah mencapai tingkat lapisan atom individual, menjadikan angstrom sebagai unit yang sangat diperlukan di lapangan.

Dalam manufaktur sirkuit terpadu, penggunaan angstrom sangat luas dan penting. Pengukuran ini memainkan peran penting dalam proses utama seperti deposisi film tipis, etsa, dan implantasi ion. Berikut adalah beberapa skenario umum:

1. Kontrol Ketebalan Film Tipis

Bahan film tipis, seperti silikon oksida (SiO₂) dan silikon nitrida (Si₃N₄), biasanya digunakan sebagai lapisan isolasi, lapisan masker, atau lapisan dielektrik dalam pembuatan semikonduktor. Ketebalan film ini mempunyai dampak penting terhadap kinerja perangkat.  

Misalnya, lapisan oksida gerbang MOSFET (transistor efek medan semikonduktor oksida logam) biasanya memiliki tebal beberapa nanometer atau bahkan beberapa angstrom. Jika lapisannya terlalu tebal, dapat menurunkan kinerja perangkat; jika terlalu tipis, dapat menyebabkan kerusakan. Teknologi deposisi uap kimia (CVD) dan deposisi lapisan atom (ALD) memungkinkan pengendapan film tipis dengan akurasi tingkat angstrom, memastikan ketebalannya memenuhi persyaratan desain.

2. Pengendalian Doping  

Dalam teknologi implantasi ion, kedalaman penetrasi dan dosis ion yang ditanamkan mempengaruhi kinerja perangkat semikonduktor secara signifikan. Angstrom sering digunakan untuk menggambarkan distribusi kedalaman implantasi. Misalnya, pada proses sambungan dangkal, kedalaman implantasi bisa mencapai puluhan angstrom.

3. Akurasi Pengetsaan

Dalam etsa kering, kontrol yang tepat terhadap laju etsa dan waktu penghentian hingga tingkat angstrom sangat penting untuk menghindari kerusakan pada material di bawahnya. Misalnya, selama etsa gerbang pada transistor, etsa yang berlebihan dapat mengakibatkan penurunan kinerja.

4. Teknologi Deposisi Lapisan Atom (ALD).

ALD adalah teknik yang memungkinkan pengendapan material satu lapisan atom pada satu waktu, dengan setiap siklus biasanya membentuk lapisan film dengan ketebalan hanya 0,5 hingga 1 Å. Teknologi ini sangat bermanfaat untuk membuat film ultra-tipis, seperti dielektrik gerbang yang digunakan dengan bahan konstanta dielektrik tinggi (High-K).

Semicorex menawarkan kualitas tinggiwafer semikonduktor. Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Hubungi telepon #+86-13567891907

Email: penjualan@semicorex.com