> Berita > berita industri

berita industri

Proses Implan dan Difusi Ion

Implantasi ion adalah metode doping semikonduktor dan salah satu proses utama dalam pembuatan semikonduktor.

Tantangan Teknologi Implantasi Ion pada Perangkat Listrik SiC dan GaN

Semikonduktor wide bandgap (WBG) seperti Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) diperkirakan akan memainkan peran yang semakin penting dalam perangkat elektronika daya. Mereka menawarkan beberapa keunggulan dibandingkan perangkat Silikon (Si) tradisional, termasuk efisiensi yang lebih tingg......

Baca selengkapnya

Berbagai aplikasi kuarsa dalam manufaktur semikonduktor

Bahan kuarsa (SiO2) sekilas terlihat sangat mirip dengan kaca, namun yang istimewa adalah kaca biasa tersusun dari banyak komponen (seperti pasir kuarsa, boraks, asam borat, barit, barium karbonat, batu kapur, feldspar, soda ash. , dll.), sedangkan kuarsa hanya mengandung SiO2, dan struktur mikronya......

Baca selengkapnya

Memahami Proses Fabrikasi Perangkat Semikonduktor Secara Lengkap

Pembuatan perangkat semikonduktor pada dasarnya mencakup empat jenis proses: (1) Fotolitografi (2) Teknik Doping (3) Deposisi Film (4) Teknik Etsa Teknik khusus yang terlibat meliputi fotolitografi, implantasi ion, pemrosesan termal cepat (RTP), deposisi uap kimia yang ditingkatkan plasma (PEC......

Baca selengkapnya

Kesulitan dalam menyiapkan substrat SiC

Saat ini, arah tren perkembangan substrat yang paling penting adalah perluasan diameter. Lini produksi massal 6 inci di pasar SiC global sudah matang, dan perusahaan terkemuka telah memasuki pasar 8 inci.

Baca selengkapnya

Substrat Silikon Karbida

Proses pembuatan substrat silikon karbida rumit dan sulit. Substrat SiC menempati nilai utama rantai industri, terhitung 47%. Diharapkan dengan perluasan kapasitas produksi dan peningkatan hasil di masa depan, diperkirakan akan turun hingga 30%.

Baca selengkapnya

<...8 9 10 11 12...22 >