Bahan semikonduktor generasi pertama terutama diwakili oleh silikon (Si) dan germanium (Ge), yang mulai bangkit pada tahun 1950-an. Germanium dominan pada masa-masa awal dan terutama digunakan pada transistor dan fotodetektor bertegangan rendah, frekuensi rendah, dan berdaya menengah, namun karena k......
Baca selengkapnyaPertumbuhan epitaksi bebas cacat terjadi ketika satu kisi kristal memiliki konstanta kisi yang hampir sama dengan yang lain. Pertumbuhan terjadi ketika lokasi kisi dari dua kisi pada wilayah antarmuka kira-kira sama, hal ini mungkin terjadi jika terdapat ketidaksesuaian kisi yang kecil (kurang dari ......
Baca selengkapnyaTahap paling dasar dari semua proses adalah proses oksidasi. Proses oksidasinya adalah dengan menempatkan wafer silikon dalam atmosfer oksidan seperti oksigen atau uap air untuk perlakuan panas suhu tinggi (800~1200℃), dan terjadi reaksi kimia pada permukaan wafer silikon untuk membentuk film oksida......
Baca selengkapnyaPertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN menghadirkan tantangan unik, meskipun bahan tersebut memiliki sifat yang lebih unggul jika dibandingkan dengan silikon. Epitaksi GaN menawarkan keunggulan signifikan dalam hal lebar celah pita, konduktivitas termal, dan kerusakan medan listrik dibandingkan ......
Baca selengkapnya