- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
berita industri
Lonjakan dan Prospek Pasar Perangkat Listrik Silicon Carbide (SiC).
Seiring dengan meningkatnya penerimaan global terhadap kendaraan listrik, Silicon Carbide (SiC) akan menghadapi peluang pertumbuhan baru dalam dekade mendatang. Produsen semikonduktor daya dan operator industri otomotif diperkirakan akan berpartisipasi lebih aktif dalam pembangunan rantai nilai sekt......
Baca selengkapnya
Keuntungan SiC di industri EV
Sebagai bahan semikonduktor wide-bandgap (WBG), perbedaan energi SiC yang lebih besar memberikan sifat termal dan elektronik yang lebih tinggi dibandingkan dengan Si tradisional. Fitur ini memungkinkan perangkat listrik beroperasi pada suhu, frekuensi, dan voltase lebih tinggi.
Baca selengkapnya
Kontrol Doping dalam Pertumbuhan SiC Sublimasi
Silikon karbida (SiC) memainkan peran penting dalam pembuatan elektronika daya dan perangkat frekuensi tinggi karena sifat listrik dan termalnya yang sangat baik. Kualitas dan tingkat doping kristal SiC secara langsung mempengaruhi kinerja perangkat, sehingga kontrol doping yang tepat adalah salah s......
Baca selengkapnya
Penerapan Komponen Grafit Dilapisi TaC
Dalam proses menumbuhkan kristal tunggal SiC dan AlN dengan metode transportasi uap fisik (PVT), komponen seperti wadah, wadah benih kristal, dan cincin pemandu memainkan peran penting. Selama proses pembuatan SiC, kristal benih ditempatkan di daerah bersuhu relatif rendah, sedangkan bahan bakunya b......
Baca selengkapnya
Proses Pemotongan dan Penggilingan Substrat
Bahan substrat SiC adalah inti dari chip SiC. Proses produksi substrat adalah: setelah memperoleh ingot kristal SiC melalui pertumbuhan kristal tunggal; kemudian penyiapan substrat SiC memerlukan penghalusan, pembulatan, pemotongan, penggilingan (penipisan); pemolesan mekanis, pemolesan mekanis kimi......
Baca selengkapnya
