Berita

Bagaimana proses epitaxial SiC?

Di medan tegangan tinggi, khususnya untuk perangkat bertegangan tinggi di atas 20.000V, teknologi epitaxial SiC masih menghadapi beberapa tantangan. Salah satu kesulitan utama adalah mencapai keseragaman, ketebalan, dan konsentrasi doping yang tinggi pada lapisan epitaxial. Untuk pembuatan perangkat......

Pertumbuhan substansial dari pasar susceptor grafit berlapis SiC

MOCVD adalah peralatan utama

Dana untuk proyek Semikonduktor

Setiap negara menyadari pentingnya chip dan sekarang sedang mempercepat pembangunan ekosistem rantai pasokan manufaktur chip sendiri untuk mencegah masalah kekurangan chip lainnya. Namun pengecoran canggih tanpa perancang chip generasi berikutnya akan sama dengan âFabs tanpa Chipâ.

TSMC: produksi percobaan risiko proses 2nm tahun depan

Dalam laporan tahunan mereka yang baru dirilis, Ketua TSMC Deyin Liu dan CEO Chieh-Jia Wei mengungkapkan kemajuan terkait proses 2nm.

Skenario Aplikasi untuk Lapisan Epitaxial

Kita tahu bahwa lapisan epitaxial lebih lanjut perlu dibangun di atas beberapa substrat wafer untuk pembuatan perangkat, biasanya perangkat pemancar cahaya LED, yang membutuhkan lapisan epitaxial GaA di atas substrat silikon; Lapisan epitaxial SiC ditanam di atas substrat SiC konduktif untuk membang......