Reseptor SiC ALD

Semicorex SiC ALD Susceptor menawarkan banyak keunggulan dalam proses ALD, termasuk stabilitas suhu tinggi, peningkatan keseragaman dan kualitas film, peningkatan efisiensi proses, dan masa pakai susceptor yang lebih lama. Manfaat ini menjadikan SiC ALD Susceptor alat yang berharga untuk mencapai film tipis berkinerja tinggi dalam berbagai aplikasi yang menuntut.**

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Manfaat SemicorexReseptor SiC ALD:

Stabilitas suhu tinggi:Susceptor ALD SiC mempertahankan integritas strukturalnya pada suhu tinggi (hingga 1600°C), memungkinkan proses ALD suhu tinggi yang menghasilkan film lebih padat dengan sifat listrik yang lebih baik.

Kelambanan kimia:Susceptor SiC ALD menunjukkan ketahanan yang sangat baik terhadap berbagai bahan kimia dan prekursor yang digunakan dalam ALD, meminimalkan risiko kontaminasi dan memastikan kualitas film yang konsisten.

Distribusi suhu seragam:Konduktivitas termal yang tinggi dari Susceptor SiC ALD mendorong distribusi suhu yang seragam di seluruh permukaan susceptor, menghasilkan deposisi film yang seragam dan meningkatkan kinerja perangkat.

Pelepasan Gas Rendah:SiC memiliki sifat pelepasan gas yang rendah, yang berarti ia melepaskan sedikit pengotor pada suhu tinggi. Hal ini penting untuk menjaga lingkungan pemrosesan yang bersih dan mencegah kontaminasi pada film yang diendapkan.

Resistensi Plasma:SiC menunjukkan ketahanan yang baik terhadap etsa plasma, sehingga kompatibel dengan proses ALD (PEALD) yang ditingkatkan plasma.

Umur panjang:Daya tahan dan ketahanan Susceptor SiC ALD terhadap keausan menghasilkan masa pakai yang lebih lama bagi susceptor, sehingga mengurangi kebutuhan akan penggantian yang sering dan menurunkan biaya pengoperasian secara keseluruhan.

Perbandingan ALD dan CVD:

Deposisi Lapisan Atom (ALD) dan Deposisi Uap Kimia (CVD) keduanya merupakan teknik deposisi film tipis yang banyak digunakan dengan karakteristik berbeda. Memahami perbedaannya sangat penting untuk memilih metode yang paling tepat untuk aplikasi tertentu.

ALD vs CVD

Keuntungan Utama ALD:

Kontrol Ketebalan dan Keseragaman yang Luar Biasa:Ideal untuk aplikasi yang memerlukan presisi tingkat atom dan pelapis konformal pada geometri kompleks.

Pemrosesan Suhu Rendah:Memungkinkan pengendapan pada substrat yang sensitif terhadap suhu dan pemilihan material yang lebih luas.

Kualitas Film Tinggi:Menghasilkan film yang padat dan bebas lubang jarum dengan pengotor rendah.

Keuntungan Utama CVD:

Tingkat Deposisi Lebih Tinggi:Cocok untuk aplikasi yang memerlukan laju deposisi lebih cepat dan film lebih tebal.

Biaya Lebih Rendah:Lebih hemat biaya untuk deposisi area luas dan aplikasi yang tidak terlalu menuntut.

Keserbagunaan:Dapat menyimpan berbagai macam material, termasuk logam, semikonduktor, dan isolator.