Wadah Grafit berlapis SiC

Dipasang di tengah tungku pertumbuhan kristal suhu tinggi,dilapisi SiCcawan lebur grafit bekerja bersama dengan pemanas, selongsong insulasi termal, tabung pemandu aliran, dan poros wadah untuk membentuk sistem medan termal yang lengkap. Sistem medan termal ini dapat menjaga kestabilan lingkungan suhu tinggi yang penting untuk pertumbuhan kristal.

Produksi dilapisi SiCcawan lebur grafitbiasanya dimulai dengan penggunaan teknologi pengendapan uap kimia yang canggih untuk mengendapkan zat padat secara meratasilikon karbidapelapisan pada permukaan substrat grafit yang terbentuk. Terdiri dari kemurnian tinggigrafitsubstrat dan lapisan silikon karbida padat, wadah grafit berlapis SiC membentuk struktur sinergis yang menggabungkan konduktivitas termal grafit dengan ketahanan korosi silikon karbida.

Metode Czochralski adalah teknik industri universal untuk pertumbuhan kristal. Teknik ini akan mengerahkan gaya sentrifugal pada wadah selama produksi kristal. Kekuatan lentur dan ketangguhan yang unggul dari cawan lebur grafit berlapis SiC dapat mencegah kerusakan atau retak selama rotasi kecepatan tinggi, sehingga secara efektif mengurangi gangguan produksi yang disebabkan oleh kerusakan wadah. Selain itu, cawan lebur harus mengalami fluktuasi suhu yang drastis dalam waktu singkat selama proses ini. Berkat ketahanan guncangan termalnya yang luar biasa, cawan lebur grafit berlapis SiC dapat mengurangi kerusakan struktural yang terkait dengan tekanan termal, memastikan stabilitas bentuknya, sehingga menurunkan cacat pertumbuhan kristal yang disebabkan oleh deformasi wadah.

Di bawah suhu tinggi, cawan lebur grafit berlapis SiC akan membentuk lapisan pelindung silikon karbida yang padat. Lapisan pelindung ini dapat mengisolasi substrat grafit dari uap silikon dan silikon cair, sehingga meminimalkan risiko korosi substrat grafit dan kontaminasi kristal yang terkait dengan pengelupasan lapisan. Oleh karena itu, cawan lebur grafit berlapis SiC Semicorex dapat tahan terhadap berbagai lingkungan korosi suhu tinggi yang kompleks untuk waktu yang lama dalam pengoperasian sebenarnya. Hal ini memastikan komposisi kristal yang konsisten dan mengurangi tingkat cacat, yang keduanya penting untuk produksi kristal semikonduktor berkualitas tinggi.