Cincin Fokus SiC

Semicorex SiC Focus Ring adalah komponen bentuk cincin yang dirancang secara presisi, diproduksi oleh silikon karbida dengan kemurnian tinggi. Cincin Fokus SiC dirancang untuk aplikasi pemrosesan semikonduktor tingkat lanjut. Silikon karbida dengan kemurnian tinggi memberikan kinerja luar biasa dalam hal stabilitas termal (titik leleh tinggi), ketahanan mekanis (kekerasan tinggi), dan sifat konduksi listrik, yang sangat penting untuk menyesuaikan spesifikasi banyak teknologi fabrikasi wafer generasi berikutnya. SiC Focus Ring adalah komponen yang ditemukan dalam komponen etsa plasma dan ruang deposisi, dan memainkan peran penting dalam mengendalikan distribusi plasma, mencapai keseragaman wafer, dan hasil dalam produksi massal.

Kemurnian material dan performa kelistrikan SiC Focus Ring adalah beberapa faktor terpenting yang menentukan komponen ini dan membedakannya dari material keramik. Kemurnian tinggisilikon karbidatidak seperti bahan keramik tradisional, karena memberikan kombinasi 

kekerasan serta ketahanan terhadap banyak bahan kimia, dan sifat listrik yang unik. Khususnya, yang lebih penting, silikon karbida dengan kemurnian tinggi dapat direkayasa menggunakan dopan dan metode pemrosesan untuk menghasilkan tingkat kinerja konduktif atau menghina yang paling sesuai dengan keseimbangan semi-konduktor yang ideal untuk berinteraksi dengan plasma, memungkinkan kinerja yang stabil di lingkungan berenergi tinggi di mana penumpukan muatan dan ketidakseimbangan listrik lebih cenderung menyebabkan kesalahan proses.

Karena efek tepi plasma, kepadatannya lebih tinggi di bagian tengah dan lebih rendah di bagian tepinya. Cincin fokus, melalui bentuk melingkar dan sifat material CVD SiC, menghasilkan medan listrik tertentu. Medan ini memandu dan membatasi partikel bermuatan (ion dan elektron) dalam plasma ke permukaan wafer, khususnya di bagian tepinya. Hal ini secara efektif meningkatkan kepadatan plasma di bagian tepi, menjadikannya lebih dekat dengan kepadatan plasma di bagian tengah. Hal ini secara signifikan meningkatkan keseragaman etsa di seluruh wafer, mengurangi kerusakan tepi, dan meningkatkan hasil.

Pabrikan Merkuri memproses Cincin Fokus SiC menggunakan proses pemesinan dan pemolesan canggih yang mencapai toleransi dimensi yang ketat dan permukaan akhir yang halus. Keakuratan dimensi komponen-komponen ini memungkinkan kompatibilitas dengan berbagai pemasok peralatan semikonduktor untuk memastikan pertukaran di banyak sistem etsa dan deposisi plasma. Desain khusus juga dapat dikembangkan untuk memenuhi persyaratan proses tertentu termasuk ketebalan cincin, diameter dalam dan luar, serta tingkat konduktivitas permukaan.

Penerapan SiC Focus Ring mencakup beragam fabrikasi semikonduktor: DRAM, flash NAND, perangkat Logika, dan teknologi semikonduktor daya baru. Ketika geometri perangkat menyusut dan terus berkembang melalui node proses, kebutuhan akan komponen ruang stabil yang sangat andal seperti SiC Focus Ring menjadi sangat penting. SiC Focus Ring memberikan kontrol yang tepat terhadap plasma dan secara konsisten meningkatkan kualitas wafer, memajukan ambisi industri menuju perangkat elektronik yang lebih kecil, lebih cepat, dan efisien. Cincin Fokus Semicorex SiC mendefinisikan titik persimpangan ilmu material, teknik presisi, dan evolusi proses semikonduktor. Cincin Fokus SiC memiliki stabilitas termal yang sangat baik, ketahanan kimia yang unggul, dan konduktivitas listrik yang mendekati spesifik. Fitur-fitur ini menjadikannya komponen penting dalam memastikan keandalan dan hasil selama proses.