Baki Wafer SiC

Baki Wafer Semicorex SiC, Berfungsi sebagai elemen kunci dalam peralatan MOCVD, menampung dan mengelola substrat kristal tunggal secara termal. Karakteristik kinerjanya yang luar biasa, termasuk stabilitas dan keseragaman termal yang unggul serta penghambatan korosi dan sebagainya, sangat penting untuk pertumbuhan bahan epitaksi berkualitas tinggi. Atribut ini memastikan keseragaman dan kemurnian yang konsisten pada lapisan film tipis.

Ditingkatkan dengan lapisan SiC, baki wafer SiC secara signifikan meningkatkan konduktivitas termal, memfasilitasi distribusi panas yang cepat dan merata yang penting untuk pertumbuhan epitaksi yang seragam. Kemampuan baki wafer SiC untuk menyerap dan memancarkan panas secara efisien mempertahankan suhu yang stabil dan konsisten, yang penting untuk pengendapan film tipis secara tepat. Distribusi suhu yang seragam ini sangat penting untuk menghasilkan lapisan epitaksi berkualitas tinggi, yang penting untuk kinerja perangkat semikonduktor canggih.

Kinerja yang andal dan umur panjang Baki Wafer SiC mengurangi frekuensi penggantian, meminimalkan waktu henti dan biaya pemeliharaan. Konstruksinya yang kokoh dan kemampuan operasionalnya yang unggul meningkatkan efisiensi proses, sehingga meningkatkan produktivitas dan efektivitas biaya dalam manufaktur semikonduktor.

Selain itu, Baki Wafer Semicorex SiC menunjukkan ketahanan yang sangat baik terhadap oksidasi dan korosi pada suhu tinggi, yang selanjutnya memastikan daya tahan dan keandalannya. Daya tahan termalnya yang tinggi, ditandai dengan titik leleh yang signifikan, memungkinkannya tahan terhadap kondisi termal ketat yang melekat pada proses fabrikasi semikonduktor.