2" Substrat Galium Oksida

Substrat Gallium Oksida Semicorex 2" mewakili babak baru dalam kisah semikonduktor generasi keempat, dengan laju produksi massal dan komersialisasi yang semakin cepat. Substrat ini menunjukkan manfaat luar biasa untuk berbagai aplikasi teknologi canggih. Substrat Gallium Oksida tidak hanya melambangkan kemajuan signifikan dalam bidang teknologi. teknologi semikonduktor tetapi juga membuka jalan baru untuk meningkatkan efisiensi dan kinerja perangkat di seluruh spektrum industri berisiko tinggi. Kami di Semicorex berdedikasi untuk memproduksi dan memasok Substrat Gallium Oksida 2" berkinerja tinggi yang memadukan kualitas dengan efisiensi biaya.**

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Deteksi Sinar Ultraviolet dan Peralatan Listrik: Celah pita lebar Substrat Gallium Oksida 2" Semicorex sekitar 4,8-4,9 eV memungkinkannya unggul dalam aplikasi seperti detektor sinar ultraviolet dan peralatan listrik, yang menunjukkan kinerja unggul dalam mengelola tegangan tinggi dan kondisi daya secara efisien .

Pengoperasian Suhu Tinggi: Stabilitas suhu tinggi Substrat Gallium Oksida 2" yang luar biasa memungkinkannya beroperasi di lingkungan hingga 1200 derajat Celcius. Fitur ini membuatnya sangat cocok untuk aplikasi suhu tinggi, daya tinggi, dan frekuensi tinggi , melampaui banyak bahan semikonduktor lainnya.

Bidang Kerusakan Tinggi: Kekuatan medan kerusakan yang tinggi dari Substrat Gallium Oksida 2" menjadikannya kandidat yang sangat baik untuk aplikasi tegangan tinggi, secara signifikan meningkatkan keandalan dan umur panjang perangkat seperti konverter daya dan inverter.

Ketahanan Kimia: Stabilitas kimia yang tinggi dari Substrat Gallium Oksida 2" di bawah kondisi suhu dan tekanan standar memastikan ketahanan terhadap banyak asam dan basa, meningkatkan daya tahan dan masa pakainya di lingkungan kimia yang keras.

Kombinasi unik dari sifat-sifat ini memposisikan Substrat Gallium Oksida Semicorex 2" sebagai bahan serbaguna di bidang elektronika daya, optoelektronik, fotokatalisis, dan penginderaan gas. Potensi penerapannya yang luas karena kemampuannya untuk bekerja secara andal dalam kondisi yang menantang, mendorong kemajuan batas kemampuan semikonduktor saat ini.