Epitaksi Ga2O3

Masuki era baru keunggulan semikonduktor dengan Semicorex Ga2O3 Epitaxy, solusi inovatif yang mendefinisikan ulang batasan daya dan efisiensi. Direkayasa dengan presisi dan inovasi, epitaksi Ga2O3 menawarkan platform untuk perangkat generasi mendatang, menjanjikan kinerja tak tertandingi di berbagai aplikasi.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Epitaksi Ga2O3, yang berasal dari semikonduktor celah pita lebar generasi keempat, memperkenalkan tingkat stabilitas kinerja dan keandalan baru di lingkungan ekstrem. Sifatnya yang memiliki celah pita lebar menjadikannya sebagai bahan pilihan untuk aplikasi suhu tinggi dan radiasi tinggi.

Kekuatan Medan Kerusakan Tinggi: Manfaatkan kekuatan medan kerusakan Ga2O3 yang luar biasa dan nilai Baliga yang tinggi, menjadikannya material tak tertandingi untuk aplikasi tegangan tinggi dan daya tinggi. Epitaksi Ga2O3 memastikan peningkatan keandalan dan kehilangan daya minimal.

Epitaksi Ga2O3 menonjol karena efisiensi dayanya yang unggul. Dengan nilai Baliga yang empat kali lipat dari GaN dan sepuluh kali lipat dari SiC, ia menghadirkan karakteristik konduksi yang sangat baik. Perangkat epitaksi Ga2O3 menunjukkan kehilangan daya hanya 1/7 SiC dan 1/49 perangkat berbasis silikon.

Kekerasan epitaksi Ga2O3 yang lebih rendah menyederhanakan proses fabrikasi, sehingga mengurangi biaya pemrosesan. Keunggulan ini menempatkan epitaksi Ga2O3 sebagai solusi yang hemat biaya dan terukur untuk berbagai aplikasi.