Reaktor Tungku Semikonduktor

Reaktor tungku semikonduktor adalah peralatan inti dalam proses pembuatan semikonduktor, terutama digunakan untuk proses penting seperti oksidasi termal, difusi, anil, dan pengendapan uap kimia. Sistem tungku tipikal (Tungku Difusi Horisontal/Vertikal) terutama terdiri dari komponen inti berikut: sistem pemanas, sistem kontrol suhu, sistem transportasi, sistem kontrol aliran gas (MFC), dan sistem pembuangan gas limbah.

Dari perspektif arsitektur keseluruhan, tungku suhu tinggi dibagi menjadi tipe horizontal dan vertikal, ditentukan oleh posisi tabung kuarsa dan komponen pemanas di dalam sistem. Tungku suhu tinggi umumnya mencakup lima komponen dasar: sistem kontrol, tabung tungku proses, sistem pengiriman gas, sistem pembuangan gas, dan sistem pemuatan. Sistem kendali terdiri dari komputer yang terhubung ke beberapa mikrokontroler, yang bertanggung jawab atas kendali tepat seluruh proses.

Mengenai pemilihan material, terutama meliputi material tabung tungkukuarsa(suhu tinggi dan tahan korosi),alumina (Al₂O₃), silikon karbida (SiC), atau paduan logam (seperti Inconel). Elemen pemanas sistem pemanas biasanya menggunakan kabel resistansi (seperti Kanthal, MoSi₂), batang silikon karbida (SiC), atau pemanas inframerah. Zona pemanasan dapat dirancang sebagai zona suhu tunggal atau zona beberapa suhu untuk mencapai kontrol suhu yang tepat. Sistem kontrol suhu menggunakan termokopel (tipe K, tipe S) untuk memantau suhu secara real time, mencapai akurasi kontrol suhu ±1℃ melalui pengontrol PID, atau menggunakan kontrol suhu PLC yang dapat diprogram.

Rentang Parameter Proses dan Bahan yang Berlaku

Kisaran Parameter Suhu: Kisaran suhu bervariasi tergantung pada prosesnya. Kisaran suhu proses pemanas standar adalah 300-1100℃, dan tungku suhu rendah adalah 250-500℃. Suhu proses umumnya adalah 400-1100℃, dengan proses oksidasi dan difusi biasanya pada 800-1100℃, proses LPCVD pada 500-800℃, dan proses anil pada 400-500℃.

Dalam pertumbuhan epitaksi, wafer silikon dipanaskan dalam tungku epitaksi pada suhu sekitar 1200°C. Silikon tetraklorida (SiCl₄) dan triklorosilan (SiHCl₃) yang diuapkan ditambahkan ke tungku untuk menginduksi pertumbuhan epitaksi pada permukaan wafer.

Proses oksidasi termal yang paling banyak digunakan melibatkan prosedur yang dilakukan pada suhu tinggi 800-1200°C untuk membentuk lapisan silikon dioksida yang tipis dan seragam. Oksidasi termal bisa basah atau kering, tergantung pada gas yang digunakan untuk reaksi oksidasi.

Sistem material yang berlaku: Proses tabung tungku cocok untuk berbagai bahan semikonduktor, termasuk silikon (Si), silikon germanium (SiGe), dan kuarsa. Dalam proses SiGe, metode CVD adalah proses utama. Dengan memanaskan substrat silikon dan memasukkan campuran gas SiH₄ dan GeH₄, lapisan silikon germanium terurai dan mengendap pada suhu tinggi (500-800°C), sehingga memerlukan kontrol yang tepat terhadap konsentrasi doping germanium dan ketebalan lapisan epitaksi.

Semicorex memasok komponen tungku khusus berkualitas tinggi. Produk kami dirancang untuk memberikan stabilitas termal yang unggul, masa pakai yang lebih lama, dan konsistensi proses yang luar biasa. Untuk solusi khusus atau informasi teknis tambahan, jangan ragu untuk menghubungi tim teknik kami.

Telepon: +86-13567891907

Email: penjualan@semicorex.com