Dalam proses menumbuhkan kristal tunggal SiC dan AlN dengan metode transportasi uap fisik (PVT), komponen seperti wadah, wadah benih kristal, dan cincin pemandu memainkan peran penting. Selama proses pembuatan SiC, kristal benih ditempatkan di daerah bersuhu relatif rendah, sedangkan bahan bakunya b......
Baca selengkapnyaBahan substrat SiC adalah inti dari chip SiC. Proses produksi substrat adalah: setelah memperoleh ingot kristal SiC melalui pertumbuhan kristal tunggal; kemudian penyiapan substrat SiC memerlukan penghalusan, pembulatan, pemotongan, penggilingan (penipisan); pemolesan mekanis, pemolesan mekanis kimi......
Baca selengkapnyaSilikon karbida (SiC) adalah material yang memiliki stabilitas termal, fisik, dan kimia yang luar biasa, menunjukkan sifat yang melampaui material konvensional. Konduktivitas termalnya mencapai 84W/(m·K), yang tidak hanya lebih tinggi dari tembaga tetapi juga tiga kali lipat dari silikon. Hal ini me......
Baca selengkapnyaDalam bidang manufaktur semikonduktor yang berkembang pesat, perbaikan sekecil apa pun dapat membuat perbedaan besar dalam mencapai kinerja, daya tahan, dan efisiensi yang optimal. Salah satu kemajuan yang menghasilkan banyak perhatian di industri ini adalah penggunaan lapisan TaC (Tantalum Carbide)......
Baca selengkapnyaIndustri silikon karbida melibatkan serangkaian proses yang mencakup pembuatan substrat, pertumbuhan epitaksi, desain perangkat, pembuatan perangkat, pengemasan, dan pengujian. Secara umum, silikon karbida dibuat dalam bentuk batangan, yang kemudian diiris, digiling, dan dipoles untuk menghasilkan s......
Baca selengkapnyaSilikon karbida (SiC) memiliki aplikasi penting di berbagai bidang seperti elektronika daya, perangkat RF frekuensi tinggi, dan sensor untuk lingkungan tahan suhu tinggi karena sifat fisikokimianya yang sangat baik. Namun, operasi pemotongan selama pemrosesan wafer SiC menyebabkan kerusakan pada per......
Baca selengkapnya