Perkembangan 3C-SiC, suatu politipe silikon karbida yang signifikan, mencerminkan kemajuan berkelanjutan dalam ilmu material semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino dkk. pertama kali mencapai film 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan deposisi uap kimia (CVD) [1], yang meletakkan ......
Baca selengkapnyaSilikon kristal tunggal dan silikon polikristalin masing-masing memiliki keunggulan unik dan skenario yang dapat diterapkan. Silikon kristal tunggal cocok untuk produk elektronik dan mikroelektronika berkinerja tinggi karena sifat listrik dan mekaniknya yang sangat baik. Silikon polikristalin, sebal......
Baca selengkapnyaDalam proses penyiapan wafer, terdapat dua mata rantai inti: yang pertama adalah penyiapan substrat, dan yang lainnya adalah pelaksanaan proses epitaksial. Substrat, wafer yang dibuat dengan hati-hati dari bahan kristal tunggal semikonduktor, dapat langsung dimasukkan ke dalam proses pembuatan wafer......
Baca selengkapnyaBahan silikon adalah bahan padat dengan sifat listrik semikonduktor dan stabilitas fisik tertentu, serta memberikan dukungan substrat untuk proses pembuatan sirkuit terpadu selanjutnya. Ini adalah bahan utama untuk sirkuit terpadu berbasis silikon. Lebih dari 95% perangkat semikonduktor dan lebih da......
Baca selengkapnyaSubstrat silikon karbida adalah senyawa bahan kristal tunggal semikonduktor yang tersusun dari dua unsur, karbon dan silikon. Ia memiliki karakteristik celah pita yang besar, konduktivitas termal yang tinggi, kekuatan medan kerusakan kritis yang tinggi, dan laju penyimpangan saturasi elektron yang t......
Baca selengkapnya