> Berita > berita industri

berita industri

Metode Pertumbuhan Kristal GaN

Saat memproduksi substrat kristal tunggal GaN berukuran besar, HVPE saat ini merupakan pilihan terbaik untuk komersialisasi. Namun, konsentrasi pembawa belakang GaN yang tumbuh tidak dapat dikontrol secara tepat.

Baca selengkapnya

Kristal Tunggal GaN

Teknologi semikonduktor telah menjadi tulang punggung peradaban modern, yang secara mendasar mengubah cara kita hidup, bekerja, dan berinteraksi dengan dunia. Hal ini telah memungkinkan kemajuan yang belum pernah terjadi sebelumnya di berbagai bidang termasuk teknologi informasi, energi, telekomunik......

Baca selengkapnya

Keramik SiC: Bahan yang Sangat Diperlukan untuk Komponen Presisi Tinggi dalam Manufaktur Semikonduktor

Manufaktur semikonduktor, landasan kemajuan teknologi modern, terus berupaya menciptakan sirkuit terpadu yang lebih kecil, lebih cepat, dan lebih efisien. Upaya yang tiada henti ini mendorong kebutuhan akan proses manufaktur yang semakin tepat dan canggih, di mana setiap langkah sangat bergantung pa......

Baca selengkapnya

Apa itu derajat grafitisasi?

Derajat grafitisasi merupakan ukuran penting yang digunakan untuk menilai seberapa dekat atom karbon dalam membentuk struktur kristal grafit heksagonal yang padat.

Baca selengkapnya

Proses pertumbuhan film tipis

Film tipis umum terutama dibagi menjadi tiga kategori: film tipis semikonduktor, film tipis dielektrik, dan film tipis logam/senyawa logam.

Baca selengkapnya

Heteroepitaxy 3C-SiC: Suatu Tinjauan

Perkembangan 3C-SiC, suatu politipe silikon karbida yang signifikan, mencerminkan kemajuan berkelanjutan dalam ilmu material semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino dkk. pertama kali mencapai film 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan deposisi uap kimia (CVD) [1], yang meletakkan ......

Baca selengkapnya

<...13 14 15 16 17...32 >