Tahap paling dasar dari semua proses adalah proses oksidasi. Proses oksidasinya adalah dengan menempatkan wafer silikon dalam atmosfer oksidan seperti oksigen atau uap air untuk perlakuan panas suhu tinggi (800~1200℃), dan terjadi reaksi kimia pada permukaan wafer silikon untuk membentuk film oksida......
Baca selengkapnyaPertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN menghadirkan tantangan unik, meskipun bahan tersebut memiliki sifat yang lebih unggul jika dibandingkan dengan silikon. Epitaksi GaN menawarkan keunggulan signifikan dalam hal lebar celah pita, konduktivitas termal, dan kerusakan medan listrik dibandingkan ......
Baca selengkapnyaSemikonduktor wide bandgap (WBG) seperti Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) diperkirakan akan memainkan peran yang semakin penting dalam perangkat elektronika daya. Mereka menawarkan beberapa keunggulan dibandingkan perangkat Silikon (Si) tradisional, termasuk efisiensi yang lebih tingg......
Baca selengkapnya