> Berita > berita industri

berita industri

Kesulitan dalam menyiapkan substrat SiC

Saat ini, arah tren perkembangan substrat yang paling penting adalah perluasan diameter. Lini produksi massal 6 inci di pasar SiC global sudah matang, dan perusahaan terkemuka telah memasuki pasar 8 inci.

Baca selengkapnya

Substrat Silikon Karbida

Proses pembuatan substrat silikon karbida rumit dan sulit. Substrat SiC menempati nilai utama rantai industri, terhitung 47%. Diharapkan dengan perluasan kapasitas produksi dan peningkatan hasil di masa depan, diperkirakan akan turun hingga 30%.

Baca selengkapnya

Pengertian Teknologi Dry Etching pada Industri Semikonduktor

Saat ini, banyak perangkat semikonduktor menggunakan struktur perangkat mesa, yang sebagian besar dibuat melalui dua jenis etsa: etsa basah dan etsa kering. Meskipun etsa basah yang sederhana dan cepat memainkan peran penting dalam fabrikasi perangkat semikonduktor, namun memiliki kelemahan yang mel......

Baca selengkapnya

Pengantar Perangkat Listrik Silikon Karbida

Perangkat daya silikon karbida (SiC) adalah perangkat semikonduktor yang terbuat dari bahan silikon karbida, terutama digunakan dalam aplikasi elektronik frekuensi tinggi, suhu tinggi, tegangan tinggi, dan daya tinggi. Dibandingkan dengan perangkat daya berbasis silikon (Si), perangkat daya silikon ......

Baca selengkapnya

Teknologi Epitaksi Wafer Silikon Karbida

Silicon Carbide umumnya menggunakan metode PVT, dengan suhu lebih dari 2000 derajat, siklus pemrosesan yang panjang, dan output yang rendah, sehingga biaya substrat Silicon Carbide sangat tinggi.

Baca selengkapnya

Kesulitan dalam persiapan GaN

Sebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, Gallium Nitrida sering disamakan dengan Silicon Carbide. Gallium Nitrida masih menunjukkan keunggulannya dengan celah pita yang besar, tegangan tembus yang tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, kecepatan penyimpangan elektron jenuh yang tinggi, dan ke......

Baca selengkapnya

<...15 16 17 18 19...29 >