Pertumbuhan wafer epitaksi Gallium Nitrida (GaN) adalah proses yang kompleks, seringkali menggunakan metode dua langkah. Metode ini melibatkan beberapa tahapan penting, termasuk pemanggangan suhu tinggi, pertumbuhan lapisan penyangga, rekristalisasi, dan anil. Dengan mengontrol suhu secara cermat di......
Baca selengkapnyaWafer epitaksial dan wafer terdifusi merupakan bahan penting dalam pembuatan semikonduktor, namun keduanya berbeda secara signifikan dalam proses fabrikasi dan aplikasi targetnya. Artikel ini menyelidiki perbedaan utama antara jenis wafer ini.
Baca selengkapnyaEtsa adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor. Proses ini dapat dikategorikan menjadi dua jenis: etsa kering dan etsa basah. Setiap teknik memiliki kelebihan dan keterbatasannya masing-masing, sehingga penting untuk memahami perbedaan di antara keduanya. Jadi, bagaimana cara memilih metod......
Baca selengkapnyaSemikonduktor generasi ketiga saat ini terutama didasarkan pada Silicon Carbide, dengan substrat menyumbang 47% dari biaya perangkat, dan epitaksi menyumbang 23%, dengan total sekitar 70% dan merupakan bagian paling penting dari industri manufaktur perangkat SiC.
Baca selengkapnyaKeramik silikon karbida menawarkan banyak keunggulan dalam industri serat optik, termasuk stabilitas suhu tinggi, koefisien muai panas yang rendah, ambang batas kehilangan dan kerusakan yang rendah, kekuatan mekanik, ketahanan terhadap korosi, konduktivitas termal yang baik, dan konstanta dielektrik......
Baca selengkapnyaSejarah silikon karbida (SiC) dimulai pada tahun 1891, ketika Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemukannya ketika mencoba mensintesis berlian buatan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilikat) dan bubuk kokas (karbon) dalam tungku listrik. Alih-alih berlian yang diharapkan,......
Baca selengkapnya