Berita - Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd

Dislokasi pada kristal SiC

Substrat SiC dapat memiliki cacat mikroskopis, seperti Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), dan lain-lain. Cacat ini disebabkan oleh penyimpangan susunan atom pada tingkat atom.

Baca selengkapnya

Tentang cacat pada kristal SiC - Micropipe

Substrat SiC dapat memiliki cacat mikroskopis, seperti Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), dan lain-lain. Cacat ini disebabkan oleh penyimpangan susunan atom pada tingkat atom. Kristal SiC mungkin juga memiliki dislokasi makroskopis, sep......

Baca selengkapnya

Mengapa memilih metode epitaksi fase cair?

Dibandingkan dengan metode PVT, metode fase cair untuk menumbuhkan SiC memiliki keuntungan sebagai berikut:

Baca selengkapnya

Apa itu epitaksi fase cair?

Metode fase cair lebih mendekati kondisi kesetimbangan termodinamika dan mampu menumbuhkan kristal SiC dengan kualitas lebih baik.

Baca selengkapnya

TaC Coating

Berdasarkan hasil penelitian, lapisan TaC dapat berfungsi sebagai lapisan pelindung dan isolasi untuk memperpanjang masa pakai komponen grafit, meningkatkan keseragaman suhu radial, mempertahankan stoikiometri sublimasi SiC, menekan migrasi pengotor, dan mengurangi konsumsi energi. Pada akhirnya, sa......

Baca selengkapnya

Apa proses CVD di semikonduktor?

Deposisi uap kimia CVD mengacu pada masuknya dua atau lebih bahan mentah berbentuk gas ke dalam ruang reaksi dalam kondisi vakum dan suhu tinggi, di mana bahan mentah berbentuk gas bereaksi satu sama lain untuk membentuk bahan baru, yang diendapkan pada permukaan wafer.

Baca selengkapnya