Batang Grafit Berpori Semicorex adalah bahan dengan kemurnian tinggi yang menampilkan struktur pori saling terhubung yang sangat terbuka dan porositas tinggi, yang dirancang khusus untuk meningkatkan proses pertumbuhan kristal SiC. Pilih Semicorex untuk solusi material semikonduktor mutakhir yang mengutamakan presisi, keandalan, dan inovasi.*
SemicorexGrafit BerporiRod by Semicorex adalah solusi inovatif yang dirancang untuk meningkatkan proses pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC). Dengan sifat uniknya berupa struktur pori yang saling berhubungan sangat terbuka, porositas luar biasa, dan kemurnian tak tertandingi, bahan ini menawarkan manfaat transformatif untuk aplikasi pertumbuhan kristal tingkat lanjut. Rekayasa presisinya menjadikannya komponen yang sangat diperlukan dalam tungku pertumbuhan kristal berkinerja tinggi.
Fitur Utama
Struktur Pori-pori yang Saling Berhubungan Sangat Terbuka
Desain batang yang berpori memfasilitasi lingkungan aliran termal dan gas yang lebih baik dalam tungku pertumbuhan kristal. Struktur yang saling berhubungan ini memastikan pemerataan gas, mengurangi gradien termal dan meningkatkan keseragaman selama proses pertumbuhan kristal.
Porositas Tinggi
Porositas material yang tinggi memberikan permeabilitas yang lebih baik untuk pemrosesan gas, memungkinkan difusi dan pertukaran yang efisien. Fitur ini sangat penting untuk menjaga kondisi presisi yang diperlukan untuk pembentukan kristal SiC yang optimal.
Kemurnian Tinggi
Dibangun dengan grafit ultra murni, Batang Grafit Berpori meminimalkan risiko kontaminasi, memastikan integritas dan kualitas kristal SiC. Atribut kemurnian tinggi ini penting untuk aplikasi semikonduktor, di mana setiap pengotor dapat mengganggu kinerja.
![]()
Aplikasi dalam Pertumbuhan Kristal SiC
ItuGrafit BerporiBatang terutama digunakan dalam tungku pertumbuhan kristal SiC, yang memainkan peran penting dalam cara berikut:
1. Meningkatkan Lingkungan Pertumbuhan
Dengan menstabilkan lingkungan termal dan kimia, batang mengurangi terjadinya cacat pada kristal yang sedang tumbuh. Stabilisasi ini memastikan produksi kristal SiC berkualitas tinggi dengan lebih sedikit ketidaksempurnaan.
2. Mengoptimalkan Kualitas Kristal
Struktur batang yang berpori membantu mencapai tingkat pertumbuhan ideal dengan mengatur suhu dan kondisi gas, yang secara langsung berkontribusi terhadap keseragaman dan konsistensi kisi kristal SiC.
3. Memfasilitasi Desain Tungku Tingkat Lanjut
Fleksibilitas dan kemampuan beradaptasinya memungkinkan integrasi ke dalam berbagai konfigurasi tungku, mendukung teknologi tungku inovatif yang bertujuan untuk mencapai efisiensi lebih tinggi dan konsumsi energi lebih rendah.
Keahlian Semicorex dalam solusi material semikonduktor terlihat jelas dalam setiap detail Batang Grafit Berpori. Komitmen kami terhadap manufaktur presisi dan ilmu material canggih memastikan bahwa produk kami memenuhi tuntutan ketat proses semikonduktor modern. Saat Anda memilih Semicorex, Anda berinvestasi pada keandalan, inovasi, dan keunggulan.
Manfaat untuk Manufaktur Semikonduktor
Batang Grafit Berpori memberikan keunggulan berbeda yang disesuaikan dengan industri semikonduktor:
Hasil Kristal yang Ditingkatkan
Dengan meminimalkan cacat dan meningkatkan lingkungan pertumbuhan, batangan ini secara signifikan meningkatkan keluaran kristal SiC yang dapat digunakan, sehingga menghasilkan efisiensi biaya yang lebih baik bagi produsen.
Peningkatan Stabilitas Termal
Sifat termalnya yang sangat baik berkontribusi pada pengoperasian tungku pertumbuhan kristal yang stabil, mengurangi kebutuhan pemeliharaan dan waktu henti operasional.
Desain yang Dapat Disesuaikan
Semicorex menawarkan opsi penyesuaian agar sesuai dengan desain tungku dan proses pertumbuhan tertentu, memastikan integrasi dan kinerja optimal.
Mendukung Masa Depan Teknologi SiC
Kristal SiC adalah dasar dari teknologi semikonduktor generasi mendatang, termasuk perangkat berdaya tinggi, kendaraan listrik, dan sistem energi terbarukan. Batang Grafit Berpori, dengan sifat-sifat unggulnya, berperan penting dalam mendorong kemajuan teknologi ini dengan memungkinkan produksi substrat SiC berkualitas tinggi secara konsisten.