Produk

View as

Komponen ICP Berlapis SiC

Komponen ICP Berlapis SiC Semicorex dirancang khusus untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan lapisan kristal SiC yang halus, bahan pembawa kami memberikan ketahanan panas yang unggul, keseragaman termal yang merata, dan ketahanan terhadap bahan kimia yang tahan lama.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Lapisan SiC Suhu Tinggi untuk Ruang Etch Plasma

Dalam hal proses penanganan wafer seperti epitaksi dan MOCVD, Lapisan SiC Suhu Tinggi Semicorex untuk Ruang Etch Plasma adalah pilihan utama. Operator kami memberikan ketahanan panas yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama berkat lapisan kristal SiC kami yang halus.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Baki Etsa Plasma ICP

Baki Etsa Plasma ICP Semicorex dirancang khusus untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, pembawa kami memberikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Sistem Etsa Plasma ICP

Pembawa SiC Coated Semicorex untuk Sistem Etsa Plasma ICP adalah solusi yang andal dan hemat biaya untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Operator kami dilengkapi lapisan kristal SiC halus yang memberikan ketahanan panas unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Plasma Berpasangan Induktif (ICP)

Susceptor berlapis silikon karbida Semicorex untuk Induktif-Coupled Plasma (ICP) dirancang khusus untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, operator kami memastikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Tempat Wafer Etsa ICP

Tempat wafer etsa ICP Semicorex adalah solusi sempurna untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, operator kami memastikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

<...63 64 65 66 67...72 >