Dayung Keramik SiC

Dayung keramik Semicorex SiC adalah bagian canggih yang dikembangkan untuk aplikasi tungku semikonduktor suhu tinggi seperti oksidasi dan difusi. Dayung bertindak sebagai penopang kantilever untuk menahan dan memindahkan wafer pada suhu tinggi. Dayung keramik Semicorex SiC memberikan komponen keramik dengan kemurnian tinggi dan kekuatan tinggi untuk proses suhu tinggi yang menuntut keandalan, stabilitas, dan kinerja yang menuntut melalui proses produksi.

Dayung diproduksi dari kemurnian tinggisilikon karbida (SiC), diformulasikan secara khusus untuk tahan terhadap lingkungan termal dan kimia yang keras dari proses manufaktur semikonduktor. Ketika wafer diolah melalui oksidasi dan difusi, wafer terkena suhu lebih dari 1000 derajat C, serta gas reaktif seperti oksigen, uap, atau atmosfer dopan. Pada suhu ini, integritas struktur akan bergantung pada kemurnian material.

Karakteristik penting lainnya dari dayung keramik SiC adalah kinerjanya yang luar biasa pada suhu tinggi. Karena titik leleh SiC sebesar 2700+C, dayung tetap mempertahankan kekuatan dan stabilitas mekanis saat terkena suhu tinggi

fitur dari waktu ke waktu. Sifat termal membatasi lengkungan dan keretakan material selama siklus pemanasan dan pendinginan berulang-ulang sekaligus memberikan masa pakai yang lama di lingkungan produksi.

Pemrosesan semikonduktor memerlukan lingkungan yang sangat bersih karena pengotor dalam jumlah kecil sekalipun dapat memengaruhi hasil dan perilaku perangkat. Bahan SiC yang digunakan pada dayung memiliki lapisan SiC yang diendapkan secara kimia (CVD) yang menghasilkan kemurnian bahan yang sangat tinggi sekaligus meminimalkan kontaminasi logam. Dayung keramik SiC tetap bersih dan stabil sepanjang masa pakainya. Sebagai penopang kantilever, dayung perlu memberikan dukungan yang aman bagi pembawa wafer atau perahu selama dimasukkan dan dikeluarkan dari tungku. KarenaSiCKarena memiliki kekuatan dan kekakuan yang melekat, bahan ini memiliki sifat menahan beban yang baik dengan defleksi minimal, yang penting untuk penanganan dan penyelarasan wafer yang tepat. Dalam tungku oksidasi dan difusi, atmosfer korosif dapat menyerang dan menurunkan material tradisional seiring berjalannya waktu, namun SiC memiliki kemampuan untuk menjaga stabilitas kimianya, sehingga memperpanjang masa pakai dayung. Hal ini mengakibatkan berkurangnya biaya pemeliharaan dan penggantian secara drastis, karena dayung tidak perlu diganti atau diperbaiki sesering mungkin.

Selain performa, terdapat fleksibilitas dalam menyesuaikan dayung untuk peralatan dan proses tertentu. Dimensi, toleransi, dan penyelesaian permukaan dapat dibuat fleksibel untuk memastikan kesesuaian antara desain tungku dan sistem penanganan wafer lainnya. Kemampuan untuk mencapai akurasi dimensi tingkat tinggi dengan pemesinan keramik yang presisi juga akan memungkinkan dayung diproduksi untuk memenuhi geometri yang kompleks. Seluruh rangkaian fitur ini dimaksudkan untuk memberikan pengoperasian yang lancar dan integrasi yang mudah ke lini produksi yang ada.

keramik SiCdayung, dengan kombinasi kemurnian tinggi, stabilitas termal, kekuatan mekanik, dan ketahanan kimia, merupakan bahan penting dalam proses oksidasi dan difusi semikonduktor. Dengan menyediakan platform yang stabil dan bersih untuk transfer wafer, mereka secara langsung berkontribusi terhadap peningkatan hasil, konsistensi proses, dan efisiensi produksi secara keseluruhan.