Tabung Proses SiC

Tabung proses Semicorex SiC adalah komponen struktural penting dalam oksidasi, difusi, RTA/RTP dalam proses pembuatan semikonduktor. Umumnya berupa tabung berdiameter besar sebagai ruang tungku reaktor, semua proses kimia akan terjadi di dalamnya. Jadi kekuatan dan ketahanan guncangan termal keduanya merupakan poin yang sangat mendasar untuk produk.

Tabung proses SiC dibuat olehSilikon Karbida yang disinter, bisa berupa SiSiC, SSiC, atau RSiC, dan lapisan CVD SiC di permukaan, yang akan membentuk lapisan dengan kemurnian sangat tinggi. Hal ini dapat mencegah polusi oleh partikel, abu, dll. Dan bahan tersebut memiliki ketahanan guncangan termal yang sangat tinggi, sehingga tabung proses SiC dapat tetap stabil dalam ketahanan suhu tinggi, dan mencegah kotoran mengendap pada suhu tinggi dan dengan demikian mencemari lingkungan.

Tabung proses SiC ini dirancang untuk digunakan di atmosfer dengan gas reaktif (oksigen), gas pelindung (nitrogen), dan gas hidrogen klorida dalam jumlah minimal, serta menawarkan ketahanan kimia, stabilitas termal, dan kemurnian material yang luar biasa hingga 1250°C. Tabung Proses Semicorex SiC menggabungkan manufaktur pencetakan 3D canggih dengan lapisan deposisi uap kimia (CVD) untuk memberikan kinerja dan masa pakai yang unggul di bawah kondisi termal dan kimia yang paling ekstrem.

Tabung Proses Semicorex SiC diproduksi melalui proses pencetakan terintegrasi cetak 3D, bukan tabung berbentuk tekan atau rakitan konvensional. Proses manufaktur ini memungkinkan struktur keramik yang berkesinambungan dan konsisten tanpa sambungan dan area lemah, sehingga menciptakan tingkat kompleksitas dan ketelitian dimensi yang tinggi, yang dapat mengurangi konsentrasi tegangan sekaligus meningkatkan kekuatan mekanik. Selain itu, struktur monolitik menyediakan segel kedap gas alam, sehingga mengurangi kontaminasi dan kebocoran selama proses suhu tinggi.

ItuSiCbodinya merupakan material dengan pengotor yang sangat rendah (<300 ppm), memberikan kemurnian dan stabilitas material yang sangat baik untuk atmosfer reaktif. Selain itu, tabung dilapisi dengan lapisan silikon karbida CVD (<5 ppm) untuk meningkatkan ketahanan terhadap korosi dan perlindungan permukaan.

Semicorex menyediakan layanan yang disesuaikan, kami dapat memproduksi sesuai dengan gambar pelanggan, untuk memenuhi persyaratan spesifikasi yang dibutuhkan. Jadi tabung proses Semicorex SiC dapat menjadi alternatif yang cocok tidak hanya untuk tungku horizontal, tetapi juga tungku vertikal.