Wafer SICOI

KAMI ADALAHkue wafermerupakan material semikonduktor komposit dengan struktur tiga lapis yang dibuat dengan metode unik.

Lapisan bawah struktur wafer SICOI adalah substrat silikon, yang memberikan dukungan mekanis yang andal untuk memastikan stabilitas struktural wafer SICOI. Konduktivitas termalnya yang optimal mengurangi dampak akumulasi panas pada kinerja perangkat semikonduktor, sehingga perangkat tersebut dapat beroperasi secara normal dalam waktu lama bahkan pada daya tinggi. Selain itu, substrat silikon kompatibel dengan peralatan dan mesin yang digunakan dalam produksi semikonduktor saat ini. Hal ini berhasil menurunkan biaya produksi dan kompleksitas sekaligus mempercepat penelitian dan pengembangan produk serta produksi massal.

Terletak di antara substrat silikon dan lapisan perangkat SiC, lapisan oksida isolasi adalah lapisan tengah wafer SICOI. Dengan mengisolasi jalur arus antara lapisan atas dan bawah, lapisan oksida isolasi secara efektif menurunkan risiko korsleting dan menjamin kinerja listrik perangkat semikonduktor yang stabil. Karena karakteristik penyerapannya yang rendah, ini dapat secara signifikan mengurangi hamburan optik dan meningkatkan efisiensi transmisi sinyal optik pada perangkat semikonduktor.

Lapisan perangkat Silicon Carbide adalah lapisan fungsional mendasar dari struktur wafer SICOI. Hal ini penting untuk mencapai fungsi elektronik, fotonik, dan kuantum berkinerja tinggi karena kekuatan mekaniknya yang luar biasa, indeks bias tinggi, kehilangan optik rendah, dan konduktivitas termal yang luar biasa.

Penerapan wafer SICOI:

1.Untuk pembuatan perangkat optik nonlinier seperti sisir frekuensi optik.

2.Untuk pembuatan chip fotonik terintegrasi.

3.Untuk pembuatan modulator elektro-optik

4.Untuk pembuatan perangkat elektronika daya, seperti sakelar daya dan perangkat RF.

5.Untuk pembuatan sensor MEMS seperti akselerometer dan giroskop.