Wadah Dilapisi TaC

Memperkenalkan wadah berlapis CVD Tac, solusi sempurna bagi produsen dan pengguna peralatan semikonduktor yang menginginkan tingkat kualitas dan kinerja tertinggi. Crucible kami dilapisi dengan lapisan CVD Tac (tantalum carbide) yang canggih, yang memberikan ketahanan unggul terhadap korosi dan keausan, menjadikannya ideal untuk digunakan dalam berbagai aplikasi semikonduktor.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Dibuat dari bahan berkualitas tinggi dan dilapisi dengan teknologi CVD Tac tercanggih, cawan lebur kami menawarkan kinerja dan umur panjang yang luar biasa. Lapisan CVD Tac memberikan lapisan yang sangat seragam dan padat yang sangat tahan terhadap serangan bahan kimia, abrasi, dan guncangan termal. Hal ini memastikan cawan lebur kami mempertahankan bentuk dan dimensinya bahkan setelah digunakan berulang kali, sehingga mengurangi kebutuhan akan penggantian yang sering.

Crucible berlapis CVD Tac kami juga sangat kompatibel dengan berbagai proses semikonduktor, termasuk deposisi uap kimia (CVD), deposisi uap fisik (PVD), dan deposisi lapisan atom (ALD). Baik Anda memproduksi microchip, sel surya, atau perangkat semikonduktor lainnya, cawan lebur kami dapat membantu Anda mencapai hasil yang optimal.

Parameter Lapisan TaC

Proyek	Parameter
Kepadatan	14,3 (gram/cm³)
Emisivitas	0.3
KTE (×10^-6/K)	6.3
Kekerasan (HK)	2000
Resistansi (Ohm-cm)	1×10^-5
Stabilitas Termal	<2500℃
Perubahan Dimensi Grafit	-10~-20um (nilai referensi)
Ketebalan Lapisan	≥20um nilai tipikal (35um±10um)

Di atas adalah nilai-nilai tipikal