Penutup Lapisan CVD TaC

Penutup Lapisan TaC Semicorex CVD menawarkan kekerasan yang mengesankan, biasanya mencapai 2500-3000 HV pada skala Vickers. Kekerasan luar biasa ini berasal dari ikatan kovalen yang sangat kuat antara tantalum dan atom karbon, membentuk penghalang padat dan tidak dapat ditembus terhadap keausan abrasif dan deformasi mekanis. Dalam praktiknya, hal ini berarti alat dan komponen tetap tajam lebih lama, menjaga akurasi dimensi CVD TaC Coating Cover, dan memberikan kinerja yang konsisten sepanjang masa pakainya.

Grafit, dengan kombinasi sifatnya yang unik, mempunyai potensi besar untuk berbagai aplikasi. Namun, kelemahan bawaannya seringkali membatasi penggunaannya. Lapisan CVD TaC mengubah permainan, membentuk ikatan yang sangat kuat dengan substrat grafit, menciptakan bahan sinergis yang menggabungkan yang terbaik dari kedua dunia: konduktivitas termal dan listrik yang tinggi dari grafit dengan kekerasan luar biasa, ketahanan aus, dan kelembaman kimia dari CVD Penutup Lapisan TaC.

Fluktuasi suhu yang cepat dalam reaktor epitaksi dapat merusak material, menyebabkan retak, melengkung, dan kegagalan besar. Namun, Penutup Pelapis TaC CVD memiliki ketahanan guncangan termal yang luar biasa, mampu menahan siklus pemanasan dan pendinginan yang cepat tanpa mengurangi integritas strukturalnya. Ketahanan ini berasal dari struktur mikro unik CVD TaC Coating Cover, yang memungkinkan ekspansi dan kontraksi cepat tanpa menimbulkan tekanan internal yang signifikan.

Mulai dari asam yang korosif hingga pelarut yang agresif, medan pertempuran kimiawi tidak dapat dimaafkan. Namun, Penutup Pelapis CVD TaC berdiri kokoh, menunjukkan ketahanan luar biasa terhadap berbagai bahan kimia dan bahan korosif. Kelambanan kimia ini menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi dalam pemrosesan kimia, eksplorasi minyak dan gas, serta industri lain yang komponennya secara rutin terpapar pada lingkungan kimia yang keras.

Lapisan Tantalum Carbide (TaC) pada Penampang Mikroskopis

Aplikasi Utama Lainnya dalam Peralatan Epitaksi:

Penerima dan Pembawa Wafer:Komponen-komponen ini menahan dan memanaskan substrat selama pertumbuhan epitaksial. Lapisan CVD TaC pada susceptor dan pembawa wafer memberikan distribusi panas yang seragam, mencegah kontaminasi substrat, dan meningkatkan ketahanan terhadap lengkungan dan degradasi yang disebabkan oleh suhu tinggi dan gas reaktif.

Injektor dan Nozel Gas:Komponen-komponen ini bertanggung jawab untuk menyalurkan aliran gas reaktif secara tepat ke permukaan substrat. Lapisan CVD TaC meningkatkan ketahanan terhadap korosi dan erosi, memastikan pengiriman gas yang konsisten dan mencegah kontaminasi partikel yang dapat mengganggu pertumbuhan kristal.

Lapisan Ruang dan Pelindung Panas:Dinding bagian dalam reaktor epitaksi terkena panas yang hebat, gas reaktif, dan potensi penumpukan pengendapan. Lapisan CVD TaC melindungi permukaan ini, memperpanjang masa pakainya, meminimalkan pembentukan partikel, dan menyederhanakan prosedur pembersihan.