Pelat Si kristal tunggal epitaksi

Pelat Si kristal Tunggal Epitaxial merangkum puncak kehalusan, daya tahan, dan keandalan untuk aplikasi yang berkaitan dengan epitaksi grafit dan manipulasi wafer. Hal ini dibedakan berdasarkan kepadatan, planaritas, dan kemampuan manajemen termalnya, sehingga memposisikannya sebagai pilihan optimal untuk kondisi operasional yang ketat. Komitmen Semicorex terhadap kualitas terdepan di pasar, dipadukan dengan pertimbangan fiskal yang kompetitif, memperkuat keinginan kami untuk menjalin kemitraan dalam memenuhi kebutuhan pengangkutan wafer semikonduktor Anda.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Atribut terpenting dari Pelat Si kristal Tunggal Epitaxial terletak pada kepadatannya yang unggul. Integrasi substrat grafit dengan lapisan silikon karbida menghasilkan kepadatan komprehensif yang mampu melindungi terhadap kondisi ketat yang dihadapi di lingkungan bersuhu tinggi dan korosif. Selain itu, susceptor berlapis silikon karbida, yang dirancang untuk sintesis kristal tunggal, memiliki profil permukaan yang sangat rata – sebuah penentu penting bagi produksi wafer berkualitas sempurna yang berkelanjutan.

Yang juga penting dalam desain produk kami adalah mitigasi perbedaan ekspansi termal antara inti grafit dan penutup silikon karbida. Inovasi semacam ini sangat meningkatkan ketahanan perekat, sehingga menghindari fenomena retakan dan stratifikasi. Selaras dengan hal ini, Pelat Si Kristal Tunggal Epitaxial menunjukkan peningkatan konduktivitas termal, dipadukan dengan kecenderungan yang patut dipuji dalam alokasi panas yang seragam – faktor-faktor yang berperan penting dalam mencapai homogenitas suhu selama siklus produksi.

Selain itu, Pelat Si kristal Tunggal Epitaxial menunjukkan ketahanan yang patut dipuji terhadap degradasi oksidatif dan korosif pada suhu tinggi, yang mendasari umur panjang dan keandalannya. Ambang batas ketahanan termalnya ditunjukkan oleh titik lelehnya yang signifikan, sehingga menjamin kapasitasnya untuk bertahan dalam lingkungan termal yang menuntut kemampuan fabrikasi semikonduktor yang mahir.