Grafit Berlapis Karbon Silikon ICP

ICP Silicon Carbon Coated Graphite dari Semicorex adalah pilihan ideal untuk penanganan wafer yang berat dan proses pengendapan film tipis. Produk kami menawarkan ketahanan panas dan korosi yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan pola aliran gas laminar yang optimal.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Pembawa wafer yang digunakan dalam pemrosesan pertumbuhan epitaksi harus tahan terhadap suhu tinggi dan pembersihan kimiawi yang keras. Susceptor Grafit Berlapis Karbon Silikon Semicorex ICP dirancang khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Produk kami dirancang untuk tahan terhadap suhu tinggi dan pembersihan kimiawi yang keras, memastikan umur panjang dan hasil yang optimal.
Grafit Berlapis Karbon Silikon ICP kami dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Hal ini membantu mencegah kontaminasi atau penyebaran kotoran, memastikan pertumbuhan epitaksi berkualitas tinggi pada chip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang ICP Silicon Carbon Coated Graphite kami.

Parameter Grafit Dilapisi Karbon Silikon ICP

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300