ICP Silicon Carbon Dilapisi Grafit

ICP Silicon Carbon Coated Graphite dari Semicorex adalah pilihan ideal untuk penanganan wafer yang menuntut dan proses pengendapan film tipis. Produk kami menawarkan ketahanan panas dan korosi yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan pola aliran gas laminar yang optimal.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Pembawa wafer yang digunakan dalam pemrosesan pertumbuhan epitaxial harus tahan terhadap suhu tinggi dan pembersihan bahan kimia yang keras. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite susceptors direkayasa khusus untuk aplikasi peralatan epitaksi yang menuntut ini. Produk kami direkayasa untuk menahan suhu tinggi dan pembersihan bahan kimia yang keras, memastikan umur panjang dan hasil yang optimal.
ICP Silicon Carbon Coated Graphite kami dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Ini membantu mencegah kontaminasi atau difusi pengotor, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang ICP Silicon Carbon Coated Graphite kami.

Parameter ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus Muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300