LPE SiC-Epi Halfmoon

Dengan melindungi komponen peralatan, mencegah kontaminasi, dan memastikan kondisi proses yang konsisten, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon memberdayakan industri semikonduktor untuk menghasilkan perangkat yang lebih canggih dan berkinerja tinggi yang mendukung dunia teknologi kita.

Banyak material yang mengalami penurunan kinerja pada suhu tinggi, namun tidak pada CVD TaC. LPE SiC-Epi Halfmoon, dengan stabilitas termal yang luar biasa dan ketahanan terhadap oksidasi, tetap sehat secara struktural dan inert secara kimia bahkan pada suhu tinggi yang ditemui dalam reaktor epitaksi. Hal ini memastikan profil pemanasan yang konsisten, mencegah kontaminasi dari komponen yang terdegradasi, dan memungkinkan pertumbuhan kristal yang andal. Ketahanan ini berasal dari titik leleh TaC yang tinggi (melebihi 3800°C) dan ketahanannya terhadap oksidasi dan guncangan termal.

Banyak proses epitaksi bergantung pada gas reaktif seperti silan, amonia, dan logamorganik untuk mengantarkan atom penyusunnya ke kristal yang sedang tumbuh. Gas-gas ini dapat bersifat sangat korosif, menyerang komponen reaktor dan berpotensi mengkontaminasi lapisan epitaksi yang halus. LPE SiC-Epi Halfmoon menentang rentetan ancaman kimia. Kelambanan yang melekat pada gas reaktif l berasal dari ikatan kimia yang kuat dalam kisi TaC, yang mencegah gas-gas ini bereaksi atau berdifusi melalui lapisan. Ketahanan terhadap bahan kimia yang luar biasa ini menjadikan LPE SiC-Epi Halfmoon sebagai bagian penting untuk melindungi komponen di lingkungan pemrosesan bahan kimia yang keras.

Gesekan adalah musuh efisiensi dan umur panjang. Lapisan CVD TaC pada LPE SiC-Epi Halfmoon bertindak sebagai pelindung gigih terhadap keausan, secara signifikan mengurangi koefisien gesekan dan meminimalkan kehilangan material selama pengoperasian. Ketahanan aus yang luar biasa ini sangat berharga dalam aplikasi dengan tekanan tinggi  yang bahkan keausan mikroskopis pun dapat menyebabkan penurunan kinerja yang signifikan dan kegagalan dini. LPE SiC-Epi Halfmoon unggul dalam bidang ini, menawarkan cakupan konformal luar biasa yang memastikan geometri paling rumit sekalipun menerima lapisan pelindung yang lengkap, sehingga meningkatkan kinerja dan umur panjang.

Lewatlah sudah zaman ketika pelapis CVD TaC hanya terbatas pada komponen kecil dan khusus. Kemajuan dalam teknologi pengendapan telah memungkinkan pembuatan lapisan pada substrat dengan diameter hingga 750 mm, membuka jalan bagi komponen yang lebih besar dan lebih kuat yang mampu menangani aplikasi yang lebih berat sekalipun.

Bagian Halfmoon 8 inci untuk Reaktor LPE

Keuntungan Pelapis CVD TaC di Epitaksi:

Peningkatan Kinerja Perangkat:Dengan menjaga kemurnian dan keseragaman proses, pelapis CVD TaC berkontribusi pada pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas lebih tinggi dengan sifat listrik dan optik yang lebih baik, sehingga menghasilkan peningkatan kinerja pada perangkat semikonduktor.

Peningkatan Throughput dan Hasil:Masa pakai yang lebih lama dari komponen berlapis CVD TaC mengurangi waktu henti yang terkait dengan pemeliharaan dan penggantian, sehingga menghasilkan waktu kerja reaktor yang lebih tinggi dan peningkatan hasil produksi. Selain itu, berkurangnya risiko kontaminasi berarti hasil yang lebih tinggi dari perangkat yang dapat digunakan.

Efektivitas Biaya:Meskipun pelapis CVD TaC mungkin memiliki biaya awal yang lebih tinggi, masa pakainya yang lebih lama, kebutuhan perawatan yang lebih rendah, dan hasil perangkat yang lebih baik berkontribusi terhadap penghematan biaya yang signifikan selama masa pakai peralatan epitaksi.