- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Keuntungan lapisan TAC dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC
Saat ini, Silicon Carbide mendominasi generasi ketiga semikonduktor. Dalam struktur biaya perangkat silikon karbida, substrat menyumbang 47%, dan epitaxy berkontribusi 23%. Bersama -sama, kedua komponen ini mewakili sekitar 70% dari keseluruhan biaya produksi, menjadikannya penting dalam rantai prod......
Baca selengkapnya
Aplikasi Silikon Karbida
Di antara komponen inti kendaraan listrik, modul daya otomotif—terutama yang memanfaatkan teknologi IGBT—memainkan peran penting. Modul-modul ini tidak hanya menentukan kinerja utama sistem penggerak listrik tetapi juga menyumbang lebih dari 40% biaya motor inverter.
Baca selengkapnya
Metode Czochralski
Wafer diiris dari batang kristal, yang dihasilkan dari bahan intrinsik murni polikristalin dan murni. Proses mengubah bahan polikristalin menjadi kristal tunggal melalui peleburan dan rekristalisasi dikenal sebagai pertumbuhan kristal. Saat ini, dua metode utama digunakan untuk proses ini: metode Cz......
Baca selengkapnya
Pembuatan wafer
Wafer adalah bahan mentah penting untuk sirkuit terpadu, perangkat listrik, dan perangkat diskrit semikonduktor. Lebih dari 90% sirkuit terpadu diproduksi menggunakan wafer dengan kemurnian tinggi dan berkualitas tinggi. Kualitas dan kapasitas pasokan wafer dalam industri terkait langsung dengan kin......
Baca selengkapnya
