Perangkat daya silikon karbida (SiC) adalah perangkat semikonduktor yang terbuat dari bahan silikon karbida, terutama digunakan dalam aplikasi elektronik frekuensi tinggi, suhu tinggi, tegangan tinggi, dan daya tinggi. Dibandingkan dengan perangkat daya berbasis silikon (Si), perangkat daya silikon ......
Baca selengkapnyaSejarah silikon karbida (SiC) dimulai pada tahun 1891, ketika Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemukannya ketika mencoba mensintesis berlian buatan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilikat) dan bubuk kokas (karbon) dalam tungku listrik. Alih-alih berlian yang diharapkan,......
Baca selengkapnyaSebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, Gallium Nitrida sering disamakan dengan Silicon Carbide. Gallium Nitrida masih menunjukkan keunggulannya dengan celah pita yang besar, tegangan tembus yang tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, kecepatan penyimpangan elektron jenuh yang tinggi, dan ke......
Baca selengkapnyaMaterial GaN menjadi terkenal setelah penganugerahan Hadiah Nobel Fisika 2014 untuk LED biru. Awalnya mulai menarik perhatian publik melalui aplikasi pengisian cepat pada perangkat elektronik konsumen, amplifier daya berbasis GaN dan perangkat RF juga diam-diam muncul sebagai komponen penting dalam ......
Baca selengkapnyaDalam bidang teknologi semikonduktor dan mikroelektronika, konsep substrat dan epitaksi mempunyai arti penting. Mereka memainkan peran penting dalam proses pembuatan perangkat semikonduktor. Artikel ini akan mempelajari perbedaan antara substrat semikonduktor dan epitaksi, mencakup definisi, fungsi......
Baca selengkapnya