Saat ini, sebagian besar produsen substrat SiC menggunakan desain proses medan termal wadah baru dengan silinder grafit berpori: menempatkan bahan baku partikel SiC dengan kemurnian tinggi di antara dinding wadah grafit dan silinder grafit berpori, sekaligus memperdalam seluruh wadah dan meningkatka......
Baca selengkapnyaPertumbuhan epitaksi mengacu pada proses menumbuhkan lapisan monokristalin yang tertata rapi secara kristalografi pada substrat. Secara umum, pertumbuhan epitaksi melibatkan budidaya lapisan kristal pada substrat kristal tunggal, dengan lapisan yang tumbuh berbagi orientasi kristalografi yang sama d......
Baca selengkapnyaDeposisi Uap Kimia (CVD) mengacu pada teknologi proses di mana beberapa reaktan gas pada tekanan parsial yang bervariasi mengalami reaksi kimia pada kondisi suhu dan tekanan tertentu. Zat padat yang dihasilkan mengendap pada permukaan bahan substrat, sehingga diperoleh lapisan tipis yang diinginkan.......
Baca selengkapnyaSeiring dengan meningkatnya penerimaan global terhadap kendaraan listrik, Silicon Carbide (SiC) akan menghadapi peluang pertumbuhan baru dalam dekade mendatang. Produsen semikonduktor daya dan operator industri otomotif diperkirakan akan berpartisipasi lebih aktif dalam pembangunan rantai nilai sekt......
Baca selengkapnyaDalam bidang elektronik modern, optoelektronik, mikroelektronika, dan teknologi informasi, substrat semikonduktor dan teknologi epitaksi sangat diperlukan. Mereka memberikan landasan yang kuat untuk pembuatan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi dan memiliki keandalan tinggi. Seiring dengan kem......
Baca selengkapnya