Silikon karbida (SiC) memainkan peran penting dalam pembuatan elektronika daya dan perangkat frekuensi tinggi karena sifat listrik dan termalnya yang sangat baik. Kualitas dan tingkat doping kristal SiC secara langsung mempengaruhi kinerja perangkat, sehingga kontrol doping yang tepat adalah salah s......
Baca selengkapnyaDalam proses menumbuhkan kristal tunggal SiC dan AlN dengan metode transportasi uap fisik (PVT), komponen seperti wadah, wadah benih kristal, dan cincin pemandu memainkan peran penting. Selama proses pembuatan SiC, kristal benih ditempatkan di daerah bersuhu relatif rendah, sedangkan bahan bakunya b......
Baca selengkapnyaBahan substrat SiC adalah inti dari chip SiC. Proses produksi substrat adalah: setelah memperoleh ingot kristal SiC melalui pertumbuhan kristal tunggal; kemudian penyiapan substrat SiC memerlukan penghalusan, pembulatan, pemotongan, penggilingan (penipisan); pemolesan mekanis, pemolesan mekanis kimi......
Baca selengkapnyaSilikon karbida (SiC) adalah material yang memiliki stabilitas termal, fisik, dan kimia yang luar biasa, menunjukkan sifat yang melampaui material konvensional. Konduktivitas termalnya mencapai 84W/(m·K), yang tidak hanya lebih tinggi dari tembaga tetapi juga tiga kali lipat dari silikon. Hal ini me......
Baca selengkapnyaDalam bidang manufaktur semikonduktor yang berkembang pesat, perbaikan sekecil apa pun dapat membuat perbedaan besar dalam mencapai kinerja, daya tahan, dan efisiensi yang optimal. Salah satu kemajuan yang menghasilkan banyak perhatian di industri ini adalah penggunaan lapisan TaC (Tantalum Carbide)......
Baca selengkapnya